Nanoscale Transistors Device Physics, Modeling and Simulation

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Lundstrom, Mark S.
Άλλοι συγγραφείς: Guo, Jing
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Εργαλειοθήκη Βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Boston, MA Springer Science+Business Media, Inc. 2006
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:http://dx.doi.org/10.1007/0-387-28003-0
LEADER 01296nom a2200361 u 4500
001 10072542
003 upatras
005 20210117201725.0
008 090513s2006 eng
020 |a 9780387280035 
040 |a GR-PaULI  |c GR-PaULI 
041 0 |a eng 
100 1 |a Lundstrom, Mark S.  |9 70818 
245 1 0 |a Nanoscale Transistors  |h [electronic resource]  |b Device Physics, Modeling and Simulation  |c by Mark S. Lundstrom, Jing Guo 
260 |a Boston, MA  |b Springer Science+Business Media, Inc.  |c 2006 
300 |b v.: digital 
650 4 |a Optical materials  |9 64444 
650 4 |a Nanotechnology  |9 19191 
650 4 |a Electronics  |9 15695 
650 4 |a Condensed matter  |9 64428 
650 4 |a Particles (Nuclear physics)  |9 19607 
650 4 |a Chemistry  |9 11013 
650 4 |a Optical and Electronic Materials  |9 64446 
650 4 |a Nanotechnology  |9 19191 
650 4 |a Electronics and Microelectronics, Instrumentation  |9 64430 
650 4 |a Condensed Matter  |9 64429 
650 4 |a Solid State Physics and Spectroscopy  |9 64425 
700 1 |a Guo, Jing  |9 70819 
852 |a GR-PaULI  |b ΠΑΤΡΑ  |b ΒΚΠ 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1007/0-387-28003-0 
942 |2 ddc 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |7 0  |9 73998  |a LISP  |b LISP  |d 2016-04-24  |l 0  |r 2016-04-24 00:00:00  |w 2016-04-24  |y ERS 
999 |c 48787  |d 48787