ΜΕΛΕΤΗ VLSI ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΥΛΟΠΟΙΗΜΕΝΩΝ ΑΠΟ MOSFET ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ 90nm ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ, ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ, ΤΜΗΥΠ

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς: ΤΡΙΑΝΤΑΦΥΛΛΙΔΗΣ Γ., ΓΡΗΓΟΡΙΟΣ (Συγγραφέας), Αλεξίου, Γεώργιος (Συγγραφέας)
Μορφή: Βιβλίο
Γλώσσα:Greek
Έκδοση: ΠΑΤΡΑ ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ, ΤΜΗΥΠ 2005
Θέματα:
LEADER 01521nam a2200277 u 4500
001 10107861
003 upatras
005 20210117204426.0
008 120521s gre
040 |a ceid  |c ceid 
040 |a XX-XxUND  |c ceid 
040 |a ΤΜΗΥΠ  |c ΤΜΗΥΠ 
245 1 0 |a ΜΕΛΕΤΗ VLSI ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΥΛΟΠΟΙΗΜΕΝΩΝ ΑΠΟ MOSFET ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ 90nm  |b ΔΙΠΛΩΜΑΤΙΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ, ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ, ΤΜΗΥΠ  |c ΤΡΙΑΝΤΑΦΥΛΛΙΔΗΣ ΓΡΗΓΟΡΙΟΣ; ΑΛΈΞΙΟΥ ΓΕΩΡΓΙΟΣ 
260 |a ΠΑΤΡΑ  |b ΠΑΝΕΠΙΣΤΗΜΙΟ ΠΑΤΡΩΝ, ΤΜΗΥΠ  |c 2005 
300 |a Σ.57 
300 |a ΕΙΚΟΝΑ 
504 |a ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ Σ.57 
505 1 |a ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1. ΤΟ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ Σ.5  |a ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2. ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΠΟΙΗΣΗ ΤΟΥ MOSFET ΜΕ ΤΗ ΒΟΗΘΕΙΑ ΤΟΥ SPICE Σ.19  |a ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3. ΤΟ ΠΕΡΙΒΑΛΛΟΝ MICROWIND Σ.3  |a ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4. ΜΕΛΕΤΗ ΑΝΤΙΣΤΡΟΦΕΑ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ 90 nm σ. 45 
650 4 |a Πτυχιακή Εργασία  |9 125162 
650 4 |a ΠΤΥΧΙΑΚΗ ΕΡΓΑΣΙΑ 2005  |9 128325 
700 1 |a ΤΡΙΑΝΤΑΦΥΛΛΙΔΗΣ Γ., ΓΡΗΓΟΡΙΟΣ  |4 aut  |9 129939 
700 1 |a Αλεξίου, Γεώργιος  |4 aut  |9 101568 
852 |a GR-PaULI  |b ΠΑΤΡΑ  |b ΤΜΗΥΠ  |t 1 
942 |2 ddc 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |7 0  |9 145427  |a CEID  |b CEID  |d 2016-04-24  |l 0  |r 2016-04-24 00:00:00  |t 1  |w 2016-04-24 
999 |c 94688  |d 94688