Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs
Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits. The material covered begins with a r...
| Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | SpringerLink (Online service) |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | Oktyabrsky, Serge (Επιμελητής έκδοσης), Ye, Peide (Επιμελητής έκδοσης) |
| Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο |
| Γλώσσα: | English |
| Έκδοση: |
Boston, MA :
Springer US : Imprint: Springer,
2010.
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | Full Text via HEAL-Link |
Παρόμοια τεκμήρια
-
Semiconductor Device Physics and Design
ανά: Mishra, Umesh K., κ.ά.
Έκδοση: (2008) -
Planar Double-Gate Transistor From Technology to Circuit /
Έκδοση: (2009) -
Physics of Semiconductor Devices
ανά: Colinge, J. P., κ.ά.
Έκδοση: (2002) -
Fundamentals of Solid State Engineering
ανά: Razeghi, Manijeh
Έκδοση: (2006) -
Physical Limitations of Semiconductor Devices
ανά: Vashchenko, V. A., κ.ά.
Έκδοση: (2008)