Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies
Since scaling of CMOS is reaching the nanometer area serious limitations enforce the introduction of novel materials, device architectures and device concepts. Multi-gate devices employing high-k gate dielectrics are considered as promising solution overcoming these scaling limitations of convention...
Κύριος συγγραφέας: | |
---|---|
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | |
Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο |
Γλώσσα: | English |
Έκδοση: |
Dordrecht :
Springer Netherlands,
2010.
|
Σειρά: | Springer Series in Advanced Microelectronics,
28 |
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | Full Text via HEAL-Link |
Διαδίκτυο
Full Text via HEAL-LinkΒΚΠ - Πατρα: ALFd
Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
---|---|
Αντίγραφο 1 | Στη βιβλιοθήκη |
ΒΚΠ - Πατρα: BSC
Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
---|---|
Αντίγραφο 2 | Στη βιβλιοθήκη |
Αντίγραφο 3 | Στη βιβλιοθήκη |