Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies

Since scaling of CMOS is reaching the nanometer area serious limitations enforce the introduction of novel materials, device architectures and device concepts. Multi-gate devices employing high-k gate dielectrics are considered as promising solution overcoming these scaling limitations of convention...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Fulde, Michael (Συγγραφέας)
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: SpringerLink (Online service)
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Dordrecht : Springer Netherlands, 2010.
Σειρά:Springer Series in Advanced Microelectronics, 28
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Full Text via HEAL-Link
Πίνακας περιεχομένων:
  • Analog Properties of Multi-Gate MOSFETs
  • High-k Related Design Issues
  • Multi-Gate Related Design Aspects
  • Multi-Gate Tunneling FETs
  • Conclusions and Outlook.