Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Sun, Yabin (Συγγραφέας, http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut)
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: SpringerLink (Online service)
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Singapore : Springer Singapore : Imprint: Springer, 2018.
Έκδοση:1st ed. 2018.
Σειρά:Springer Theses, Recognizing Outstanding Ph.D. Research,
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Full Text via HEAL-Link
Πίνακας περιεχομένων:
  • Introduction
  • Ionization damage in SiGe HBT
  • Displacement damage with swift heavy ions in SiGe HBT
  • Single-event transient induced by pulse laser microbeam in SiGe HBT
  • Small-signal equivalent circuit of SiGe HBT based on the distributed effects
  • Parameter extraction of SiGe HBT models
  • Conclusion.