| Περίληψη: | Η μελέτη των τρανζίστορ επίδρασης πεδίου παρουσιάζει ιδιαίτερο ενδιαφέρον, καθώς αυτά αποτελούν βασικές δομικές μονάδες για την κατασκευή αναλογικών και ψηφιακών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, κυρίως εξαιτίας των μικρών τους διαστάσεων και της χαμηλής κατανάλωσης ηλεκτρικής ισχύος. Στο κεφάλαιο αυτό παρουσιάζονται οι αρχές λειτουργίας των τρανζίστορ επίδρασης πεδίου και οι κυριότεροι τύποι τους, με τη μελέτη να εστιάζεται στα MOSFETs των οποίων περιγράφονται, επιπλέον, οι περιοχές λειτουργίας, μέθοδοι πόλωσης καθώς και χαρακτηριστικές εφαρμογές τους.
|
|---|
