| Περίληψη: | Στην παρούσα εργασία μελετήθηκαν μια σειρά ύαλοι στο ψευδοδυαδικό υαλοποιήσιμο σύστημα MgSiO3 – Mg2SiO4 συνδυάζοντας την φασματοσκοπία Raman με τις τεχνικές αιώρησης χωρίς επαφή και χρήση CO2 laser για την θέρμανση και την τήξη των υλικών. Μετρήθηκαν τα πολωμένα και αποπολωμένα φάσματα Raman σε συνθήκες περιβάλλοντος για όλες τις συστάσεις. Τα αποτελέσματα έδειξαν ομαλές και συστηματικές αλλαγές στις εντάσεις των κορυφών. Η ανάλυση των κορυφών Raman που παρατηρούνται στα φάσματα έγινε με όρους δονήσεων που οφέιλονται στα διάφορα γεφυρωτικά άτομα οξυγόνου των τετραέδρων SiO4 (ανάλυση ειδών Qn) και διαπιστώνεται η ύπαρξη τους στα άμορφα υλικά ακόμα και στο όριο της σύστασης της ένωσης Mg2SiO4. Στα φάσματα Raman χαμηλών συχνοτήτων παρουσιάζεται η συχνότητα της κορυφής Boson να είναι σταθερή, όπως συμβαίνει και στους τρόπους δόνησης των ειδών Qn, υποδηλώνοντας με αυτό τον τρόπο ότι δεν συμβαίνει καμία απότομη δομική αλλαγή μεταβάλλοντας την σύσταση. Προτείνεται ότι στη σύσταση της ένωσης Mg2SiO4 δημιουργείται ένα ιοντικό γυαλί, το οποίο προέρχεται από ένα πολύ «εύθραυστο» υγρό.
|
|---|
