Σύστημα ενισχυτών ισχύος υψηλών συχνοτήτων για επικοινωνίες ευρείας ζώνης

• Κύριος συγγραφέας: Σαρρής, Ελευθέριος
• Άλλοι συγγραφείς: Sarris, Eleftherios
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2022
• Θέματα: Ευρυζωνικοί ενισχυτές ισχύος; Κασκωδικοί ενισχυτές 2 σταδίων; Wideband PA cascode; 2- Stage PA

Στην παρούσα διπλωματική εργασία περιγράφεται ο σχεδιασμός ενός ευρυζωνικού ενισχυτή ισχύος κλάσης Α δύο κασκωδικών σταδίων με εύρος ζώνης 3.5 - 6 GHz στο εργαλείο ADS. Ο ενισχυτής αυτός μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε πομπούς για εφαρμογές ασύρματων επικοινωνιών. Τα transistors CGH60008D της εταιρίας Cree είναι τεχνολογίας GaN HEMT και χρησιμοποιήθηκαν ως transistors ισχύος του ενισχυτή. Ο σχεδιασμός ξεκινάει με την υλοποίηση του σχηματικού του ενισχυτή με ιδανικά στοιχεία. Συνεχίζουμε στη φάση του Layout, όπου γίνεται η αντικατάσταση ιδανικών στοιχείων με πραγματικές γραμμές μικροταινίας (microstrip) οι οποίες υλοποιούνται πάνω σε πλακέτα PCB. Στη φάση αυτή γίνεται ηλεκτρομαγνητική εξομοίωση του κυκλώματος μέσω του εργαλείου Momentum του ADS. Τελικά επιτεύχθηκε κέρδος S21 ανάμεσα σε 16.3 και 17.8 dB, S11 και S22 < -11.9 dB και -10.6 dB αντίστοιχα, ισχύς εξόδου 38.2 – 39.8 dBm, PAE > 30% καθώς και συνολική DC κατανάλωση 22 Watts.Το τελικό μέγεθος του ενισχυτή πάνω στο PCB είναι 37.5 mm x 17.6 mm.