Ανάπτυξη υμενίων ZrO2 σε υποστρώματα p-Ge με τη μέθοδο ALD : μελέτη διεπιφανειακών ιδιοτήτων και μηχανισμών αγωγιμότητας συναρτήσει της θερμοκρασίας

• Κύριος συγγραφέας: Κερασίδου, Αριάδνη
• Άλλοι συγγραφείς: Σκαρλάτος, Δημήτριος
• Μορφή: Thesis
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2012
• Θέματα: Εναπόθεση ατομικού στρώματος; Υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθερας; Γερμάνιο; Atomic layer deposition (ALD); High-k dielectrics; Ge; ZrO2; 537.622

Στην παρούσα Εργασία λεπτά υμένια (5 -25 nm) ZrO2 έχουν εναποτεθεί με τη μέθοδο ALD σε μη αδρανοποιημένο (100) Ge τύπου-p, με ειδική αντίσταση 0.2-0.5 Ω-cm. Η εναπόθεση του ZrO2 πραγματοποιήθηκε στους 2500C, με τη χρήση διαδοχικών παλμών H2O και Tetrakis (Dimethylamido) Zirconium που ήταν και οι πρό...