Κωδικοποίηση και διόρθωση λαθών σε μνήμες NAND πολλαπλών επιπέδων

• Κύριοι συγγραφείς: Ευταξιάδης, Ευστράτιος, Μπίκας, Γεώργιος
• Άλλοι συγγραφείς: Αντωνακόπουλος, Θεόδωρος
• Μορφή: Thesis
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2014
• Θέματα: Μνήμες NAND flash; Αποθήκευση δεδομένων; NAND flash; Low Density Parity Check (LDPC); Lifetime capacity; 004.56

Οι MLC NAND Flash μνήμες παίζουν πρωταγωνιστικό ρόλο για την αποθήκευση δε- δομένων, καθώς έχουν μεγάλη αποθηκευτική ικανότητα λόγω της μεγάλης πυκνότητάς τους, χαμηλό κόστος και χαμηλή απαίτηση σε ισχύ. Για τους λόγους αυτούς, έγινε εφικτό από τους σκληρούς δίσκους οδήγησης (HDDs) πλέον έχουμε περάσει στην εποχή των Solid State Drives (SSDs) που αποτελούν ένα μεγάλο βήμα για την αποθήκευση δεδομένων αποδοτικά και αξιόπιστα. Βέβαια η παρουσία λαθών στις MLC NAND Flash μνήμες, λόγω φαινομένων όπως η γήρανση του υλικού καθιστά απαραίτητη την εφαρμογή κωδίκων διόρθωσης λαθών (ECC) ώστε να διατηρηθεί η αξιοπιστία σε επιθυμητά επίπεδα. Σκοπός λοιπόν αυτής της διπλωματικής είναι αρχικά η ανάπτυξη ενός παραμετροποιήσιμου μοντέλου MLC NAND Flash μνήμης για την εξομοίωση εμφάνισης λαθών. Στη συνέχεια η χρησιμοποίηση soft-decision Low Density Parity Check (LDPC) κωδίκων για τη διόρθωση λαθών με τέτοι οτρόπο ώστε να παρατείνουμε το χρόνο ζωής της μνήμης και τελικά να υπολογίσουμε το Life Time Capacity που αποτελεί το συνολικό μέγεθος της πληροφορίας που μπορεί να αποθηκευθεί σε μία μνήμη καθ’όλη τη διάρκεια ζωής της.