Κωδικοποίηση και διόρθωση λαθών σε μνήμες NAND πολλαπλών επιπέδων
Οι MLC NAND Flash μνήμες παίζουν πρωταγωνιστικό ρόλο για την αποθήκευση δε- δομένων, καθώς έχουν μεγάλη αποθηκευτική ικανότητα λόγω της μεγάλης πυκνότητάς τους, χαμηλό κόστος και χαμηλή απαίτηση σε ισχύ. Για τους λόγους αυτούς, έγινε εφικτό από τους σκληρούς δίσκους οδήγησης (HDDs) πλέον έχουμε περ...
Κύριοι συγγραφείς: | Ευταξιάδης, Ευστράτιος, Μπίκας, Γεώργιος |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | Αντωνακόπουλος, Θεόδωρος |
Μορφή: | Thesis |
Γλώσσα: | Greek |
Έκδοση: |
2014
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | http://hdl.handle.net/10889/8041 |
Παρόμοια τεκμήρια
-
Μοντελοποίηση και πειραματική εξομοίωση του μηχανισμού γήρανσης μνημών τεχνολογίας NAND
ανά: Σκλίας, Γεώργιος
Έκδοση: (2015) -
Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND
ανά: Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα
Έκδοση: (2011) -
Αρχιτεκτονική αποκωδικοποιητών μεταβλητού ρυθμού για LDPC κώδικες και εφαρμογή σε ημιαγωγικές μνήμες τύπου NAND flash
ανά: Κορκοτσίδης, Στέλιος
Έκδοση: (2016) -
Ανάπτυξη αλγορίθμου χαρτογράφησης στη μονάδα μετάφρασης διευθύνσεων SSDs βασισμένων σε τεχνολογία NAND flash
ανά: Τζιμή, Καλλιόπη
Έκδοση: (2021) -
Αρχιτεκτονικές υλικού χαμηλής κατανάλωσης για διόρθωση λαθών σε ασύρματα δίκτυα
ανά: Περρής-Σάμιος, Γιώργος
Έκδοση: (2017)