Εναπόθεση και χαρακτηρισμός νανοδομημένου πυριτίου για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές
Το νανοδομημένο υδρογονωμένο πυρίτιο αποτελεί ένα από τα βασικότερα υλικά των οπτοηλεκτρονικών διατάξεων λεπτών υμενίων (φωτοβολταϊκά κελιά λεπτών υμενίων, TFT, αισθητήρες). Η κύρια τεχνική που χρησιμοποιείται βιομηχανικά για την παραγωγή υμενίων υδρογονωμένου πυριτίου, είναι η χημική εναπόθεση ατμώ...
Κύριος συγγραφέας: | |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | |
Μορφή: | Thesis |
Γλώσσα: | Greek |
Έκδοση: |
2016
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | http://hdl.handle.net/10889/9454 |
id |
nemertes-10889-9454 |
---|---|
record_format |
dspace |
institution |
UPatras |
collection |
Nemertes |
language |
Greek |
topic |
Νανοδομημένο υδρογονωμένο πυρίτιο Χημική εναπόθεση ατμών υποβοηθούμενη με πλάσμα Nanostructured hydrogenated silicon Plasma enhanced chemical vapour deposition 621.381045 |
spellingShingle |
Νανοδομημένο υδρογονωμένο πυρίτιο Χημική εναπόθεση ατμών υποβοηθούμενη με πλάσμα Nanostructured hydrogenated silicon Plasma enhanced chemical vapour deposition 621.381045 Φαρσάρη, Εργίνα Εναπόθεση και χαρακτηρισμός νανοδομημένου πυριτίου για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές |
description |
Το νανοδομημένο υδρογονωμένο πυρίτιο αποτελεί ένα από τα βασικότερα υλικά των οπτοηλεκτρονικών διατάξεων λεπτών υμενίων (φωτοβολταϊκά κελιά λεπτών υμενίων, TFT, αισθητήρες). Η κύρια τεχνική που χρησιμοποιείται βιομηχανικά για την παραγωγή υμενίων υδρογονωμένου πυριτίου, είναι η χημική εναπόθεση ατμών υποβοηθούμενη με πλάσμα (PECVD). Η διεργασία λαμβάνει χώρα σε χωρητικά συζευγμένους αντιδραστήρες (CCP) χρησιμοποιώντας ως πρόδρομο αέριο το σιλάνιο ή μίγματά του με υδρογόνο. Το κύριο πλεονέκτημα της τεχνική αυτής είναι ότι με μικρές μεταβολές στις παραμέτρους της διεργασίας, είναι δυνατή η εναπόθεση τόσο άμορφων όσο και μικροκρυσταλλικών υμενίων. Ωστόσο, ένα από τα κύρια προβλήματα που παρουσιάζονται στη χρήση των CCP πηγών, είναι ο ιδιαίτερα χαμηλός ρυθμός εναπόθεσης των μικροκρυσταλλικών υλικών, ο οποίος δεν υπερβαίνει τα 5 Å/sec.
Στόχος της παρούσας εργασίας είναι η διερεύνηση της δυνατότητας χρήσης πηγών πλάσματος υψηλής πυκνότητας ηλεκτρονίων για την ενίσχυση του ρυθμού εναπόθεσης λεπτών υμενίων μικροκρυσταλλικού πυριτίου, κατάλληλων για την ενσωμάτωσή τους σε οπτοηλεκτρονικές διατάξεις. Συγκεκριμένα, η διεργασία εξετάζεται σε δύο πηγές πλάσματος συντονισμού κύματος ηλεκτρονιακού κυκλότρου (ECWR) και σε μια επαγωγικά συζευγμένη πηγή (ICP). Σε κάθε περίπτωση, μελετάται η επίδραση των παραμέτρων της διεργασίας στον ρυθμό εναπόθεσης και στις φυσικοχημικές ιδιότητες των υλικών, αναζητώντας συνθήκες που εξασφαλίζουν ρυθμούς μεγαλύτερους των 5 Å/sec, αλλά και υλικά των οποίων οι ιδιότητες πληρούν τις προδιαγραφές για την ενσωμάτωσή τους σε οπτοηλεκτρονικές διατάξεις.
Βάσει των αποτελεσμάτων προκύπτει ότι και οι τρεις πηγές παρέχουν ένα μεγάλο εύρος συνθηκών στις οποίες ο ρυθμός εναπόθεσης μικροκρυσταλλικών υλικών είναι πολλαπλάσιος του βιομηχανικού ρυθμού. Ο φυσικοχημικό χαρακτηρισμό των υλικών καταδεικνύει ότι υλικά που εναποτίθενται με ρυθμούς υψηλότερους των 13 Å/sec παρουσιάζουν αυξημένο αριθμό νανο-πόρων με αποτέλεσμα να οξειδώνονται τάχιστα κατά την έκθεσή τους στην ατμόσφαιρα. Η μελέτη της διεργασίας στην ICP πηγή υποδεικνύει ότι ο περιορισμός του ρυθμού εναπόθεσης στα 12 Å/sec οδηγεί σε περισσότερο συνεκτικά υλικά τα οποία οξειδώνονται βραδύτερα και παρουσιάζουν υψηλή φωτοευαισθησία για μακρά χρονικά διαστήματα. |
author2 |
Ματαράς, Δημήτριος |
author_facet |
Ματαράς, Δημήτριος Φαρσάρη, Εργίνα |
format |
Thesis |
author |
Φαρσάρη, Εργίνα |
author_sort |
Φαρσάρη, Εργίνα |
title |
Εναπόθεση και χαρακτηρισμός νανοδομημένου πυριτίου για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές |
title_short |
Εναπόθεση και χαρακτηρισμός νανοδομημένου πυριτίου για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές |
title_full |
Εναπόθεση και χαρακτηρισμός νανοδομημένου πυριτίου για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές |
title_fullStr |
Εναπόθεση και χαρακτηρισμός νανοδομημένου πυριτίου για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές |
title_full_unstemmed |
Εναπόθεση και χαρακτηρισμός νανοδομημένου πυριτίου για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές |
title_sort |
εναπόθεση και χαρακτηρισμός νανοδομημένου πυριτίου για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές |
publishDate |
2016 |
url |
http://hdl.handle.net/10889/9454 |
work_keys_str_mv |
AT pharsarēergina enapothesēkaicharaktērismosnanodomēmenoupyritiougiaoptoēlektronikesepharmoges AT pharsarēergina depositionandcharacterizationofnanostructuredsiliconforoptoelectronicapplications |
_version_ |
1771297233901191168 |
spelling |
nemertes-10889-94542022-09-05T13:56:31Z Εναπόθεση και χαρακτηρισμός νανοδομημένου πυριτίου για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές Deposition and characterization of nanostructured silicon for optoelectronic applications Φαρσάρη, Εργίνα Ματαράς, Δημήτριος Αγγελόπουλος, Γεώργιος Τσερέπη, Αγγελική Γαλιώτης, Κωνσταντίνος Αμανατίδης, Ελευθέριος Φαρμάκης, Φίλιππος Σπηλιόπουλος, Νικόλαος Farsari, Ergina Νανοδομημένο υδρογονωμένο πυρίτιο Χημική εναπόθεση ατμών υποβοηθούμενη με πλάσμα Nanostructured hydrogenated silicon Plasma enhanced chemical vapour deposition 621.381045 Το νανοδομημένο υδρογονωμένο πυρίτιο αποτελεί ένα από τα βασικότερα υλικά των οπτοηλεκτρονικών διατάξεων λεπτών υμενίων (φωτοβολταϊκά κελιά λεπτών υμενίων, TFT, αισθητήρες). Η κύρια τεχνική που χρησιμοποιείται βιομηχανικά για την παραγωγή υμενίων υδρογονωμένου πυριτίου, είναι η χημική εναπόθεση ατμών υποβοηθούμενη με πλάσμα (PECVD). Η διεργασία λαμβάνει χώρα σε χωρητικά συζευγμένους αντιδραστήρες (CCP) χρησιμοποιώντας ως πρόδρομο αέριο το σιλάνιο ή μίγματά του με υδρογόνο. Το κύριο πλεονέκτημα της τεχνική αυτής είναι ότι με μικρές μεταβολές στις παραμέτρους της διεργασίας, είναι δυνατή η εναπόθεση τόσο άμορφων όσο και μικροκρυσταλλικών υμενίων. Ωστόσο, ένα από τα κύρια προβλήματα που παρουσιάζονται στη χρήση των CCP πηγών, είναι ο ιδιαίτερα χαμηλός ρυθμός εναπόθεσης των μικροκρυσταλλικών υλικών, ο οποίος δεν υπερβαίνει τα 5 Å/sec. Στόχος της παρούσας εργασίας είναι η διερεύνηση της δυνατότητας χρήσης πηγών πλάσματος υψηλής πυκνότητας ηλεκτρονίων για την ενίσχυση του ρυθμού εναπόθεσης λεπτών υμενίων μικροκρυσταλλικού πυριτίου, κατάλληλων για την ενσωμάτωσή τους σε οπτοηλεκτρονικές διατάξεις. Συγκεκριμένα, η διεργασία εξετάζεται σε δύο πηγές πλάσματος συντονισμού κύματος ηλεκτρονιακού κυκλότρου (ECWR) και σε μια επαγωγικά συζευγμένη πηγή (ICP). Σε κάθε περίπτωση, μελετάται η επίδραση των παραμέτρων της διεργασίας στον ρυθμό εναπόθεσης και στις φυσικοχημικές ιδιότητες των υλικών, αναζητώντας συνθήκες που εξασφαλίζουν ρυθμούς μεγαλύτερους των 5 Å/sec, αλλά και υλικά των οποίων οι ιδιότητες πληρούν τις προδιαγραφές για την ενσωμάτωσή τους σε οπτοηλεκτρονικές διατάξεις. Βάσει των αποτελεσμάτων προκύπτει ότι και οι τρεις πηγές παρέχουν ένα μεγάλο εύρος συνθηκών στις οποίες ο ρυθμός εναπόθεσης μικροκρυσταλλικών υλικών είναι πολλαπλάσιος του βιομηχανικού ρυθμού. Ο φυσικοχημικό χαρακτηρισμό των υλικών καταδεικνύει ότι υλικά που εναποτίθενται με ρυθμούς υψηλότερους των 13 Å/sec παρουσιάζουν αυξημένο αριθμό νανο-πόρων με αποτέλεσμα να οξειδώνονται τάχιστα κατά την έκθεσή τους στην ατμόσφαιρα. Η μελέτη της διεργασίας στην ICP πηγή υποδεικνύει ότι ο περιορισμός του ρυθμού εναπόθεσης στα 12 Å/sec οδηγεί σε περισσότερο συνεκτικά υλικά τα οποία οξειδώνονται βραδύτερα και παρουσιάζουν υψηλή φωτοευαισθησία για μακρά χρονικά διαστήματα. Nanostructured hydrogenated silicon thin films are widely applied in a variety of optoelectronic devices such as thin films solar cells, thin film transistors and photo detectors. Industrially, amorphous and microcrystalline silicon thin films are deposited through SiH4 – H2 discharges in Capacitively Coupled Plasma reactors. Nevertheless, the low deposition rate (~ 5 Å/sec) achieved for microcrystalline silicon remains the main disadvantage of the process. In order to increase the growth rate several deposition techniques have been proposed such as high pressure depletion method (HPD), very high frequency method (VHD) and use of alternative precursors. Moreover, high density methods such as Inductively Coupled Plasmas (ICP), Electron Cyclotron Wave Resonance discharges, microwave plasmas, Electron Cyclotron Reactors and Hollow cathode discharges have been suggested. The aim of this work is to use high density plasma sources in order to deposit Si:H thin films and determine the process parameters leading to high deposition rates and device grade materials. Precisely, two Electron Cyclotron Wave Resonance sources and one Inductively Coupled Plasma source were used and the effect of process parameters on the growth rate and the materials properties was examined. The experimental results show that high rate growth of microcrystalline silicon can be achieved in all cases. However, materials characterization revealed that films deposited at rates higher than 13 Å/sec are porous and thus very sensitive to post oxidation. Keeping the rate lower than 12 Å/sec resulted in more dense materials which show low oxidation rates and sustain high photosensitivity in ambient conditions. 2016-06-23T10:33:39Z 2016-06-23T10:33:39Z 2015-10 Thesis http://hdl.handle.net/10889/9454 gr Η ΒΚΠ διαθέτει αντίτυπο της διατριβής σε έντυπη μορφή στο βιβλιοστάσιο διδακτορικών διατριβών που βρίσκεται στο ισόγειο του κτιρίου της. 0 An error occurred getting the license - uri. An error occurred getting the license - uri. application/pdf |