Advanced characterization techniques for thin film solar cells /

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Άλλοι συγγραφείς: Rau, U. (Uwe) (Επιμελητής έκδοσης), Abou-Ras, Daniel (Επιμελητής έκδοσης), Kirchartz, Thomas (Επιμελητής έκδοσης)
Μορφή: Ηλ. βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Weinheim, Germany : Wiley-VCH, [2011]
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Full Text via HEAL-Link
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245 0 0 |a Advanced characterization techniques for thin film solar cells /  |c edited by Daniel Abou-Ras, Thomas Kirchartz, and Uwe Rau. 
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300 |a 1 online resource (xxxvi, 547 pages) :  |b illustrations (some color) 
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504 |a Includes bibliographical references and index. 
505 0 0 |g Machine generated contents note:  |g pt. one  |t Introduction --  |g 1.  |t Introduction to Thin-Film Photovoltaics /  |r Uwe Rau --  |g 1.1.  |t Introduction --  |g 1.2.  |t The Photovoltaic Principle --  |g 1.2.1.  |t The Shockley-Queisser Theory --  |g 1.2.2.  |t From the Ideal Solar Cell to Real Solar Cells --  |g 1.2.3.  |t Light Absorption and Light Trapping --  |g 1.2.4.  |t Charge Extraction --  |g 1.2.5.  |t Nonradiative Recombination --  |g 1.3.  |t Functional Layers in Thin-Film Solar Cells --  |g 1.4.  |t Comparison of Various Thin-Film Solar-Cell Types --  |g 1.4.1.  |t Cu(In, Ga)Se2 --  |g 1.4.1.1.  |t Basic Properties and Technology --  |g 1.4.1.2.  |t Layer-Stacking Sequence and Band Diagram of the Heterostructure --  |g 1.4.2.  |t CdTe --  |g 1.4.2.1.  |t Basic Properties and Technology --  |g 1.4.2.2.  |t Layer-Stacking Sequence and Band Diagram of the Heterostructure --  |g 1.4.3.  |t Thin-Film Silicon Solar Cells --  |g 1.4.3.1.  |t Hydrogenated Amorphous Si (a-Si: H) --  |g 1.4.3.2.  |t Metastability in a-Si: H: The Staebler-Wronski Effect --  |g 1.4.3.3.  |t Hydrogenated Microcrystalline Silicon (& mu;c-Si: H) --  |g 1.4.3.4.  |t Micromorph Tandem Solar Cells. 
505 0 0 |g 1.5.  |t Conclusions --  |t References --  |g pt. Two  |t Device Characterization --  |g 2.  |t Fundamental Electrical Characterization of Thin-Film Solar Cells /  |r Uwe Rau --  |g 2.1.  |t Introduction --  |g 2.2.  |t Current/Voltage Curves --  |g 2.2.1.  |t Shape of Current/Voltage Curves and their Description with Equivalent Circuit Models --  |g 2.2.2.  |t Measurement of Current/Voltage Curves --  |g 2.2.3.  |t Determination of Ideality Factors and Series Resistances --  |g 2.2.4.  |t Temperature-Dependent Current/Voltage Measurements --  |g 2.3.  |t Quantum Efficiency Measurements --  |g 2.3.1.  |t Definition --  |g 2.3.2.  |t Measurement Principle and Calibration --  |g 2.3.3.  |t Quantum Efficiency Measurements of Tandem Solar Cells --  |g 2.3.4.  |t Differential Spectral Response (DSR) Measurements --  |g 2.3.5.  |t Interpretation of Quantum Efficiency Measurements in Thin-Film Silicon Solar Cells --  |t References --  |g 3.  |t Electroluminescence Analysis of Solar Cells and Solar Modules /  |r Uwe Rau --  |g 3.1.  |t Introduction --  |g 3.2.  |t Basics --  |g 3.3.  |t Spectrally Resolved Electroluminescence --  |g 3.4.  |t Spatially Resolved Electroluminescence of c-Si Solar Cells --  |g 3.5.  |t Electroluminescence Imaging of Cu(In, Ga)Se2 Thin-Film Modules. 
505 0 0 |g 3.6.  |t Modeling of Spatially Resolved Electroluminescence --  |t References --  |g 4.  |t Capacitance Spectroscopy of Thin-Film Solar Cells /  |r Pawel Zabierowski --  |g 4.1.  |t Introduction --  |g 4.2.  |t Admittance Basics --  |g 4.3.  |t Sample Requirements --  |g 4.4.  |t Instrumentation --  |g 4.5.  |t Capacitance-Voltage Profiling and the Depletion Approximation --  |g 4.6.  |t Admittance Response of Deep States --  |g 4.7.  |t The Influence of Deep States on CV Profiles --  |g 4.8.  |t DLTS --  |g 4.8.1.  |t DLTS of Thin-Film PV Devices --  |g 4.9.  |t Admittance Spectroscopy --  |g 4.10.  |t Drive Level Capacitance Profiling --  |g 4.11.  |t Photocapacitance --  |g 4.12.  |t The Meyer-Neldel Rule --  |g 4.13.  |t Spatial Inhomogeneities and Interface States --  |g 4.14.  |t Metastability --  |t References --  |g pt. Three  |t Materials Characterization --  |g 5.  |t Characterizing the Light-Trapping Properties of Textured Surfaces with Scanning Near-Field Optical Microscopy /  |r Karsten Bittkau --  |g 5.1.  |t Introduction --  |g 5.2.  |t How Does a Scanning Near-Field Optical Microscope Work? --  |g 5.3.  |t Light Scattering in the Wave Picture --  |g 5.4.  |t The Role of Evanescent Modes for Light Trapping --  |g 5.5.  |t Analysis of Scanning Near-Field Optical Microscopy Images by Fast Fourier Transformation. 
505 0 0 |g 5.6.  |t How to Extract Far-Field Scattering Properties by Scanning Near-Field Optical Microscopy? --  |g 5.7.  |t Conclusion --  |t References --  |g 6.  |t Spectroscopic Ellipsometry /  |r Robert W. Collins --  |g 6.1.  |t Introduction --  |g 6.2.  |t Theory --  |g 6.2.1.  |t Polarized Light --  |g 6.2.2.  |t Reflection from a Single Interface --  |g 6.3.  |t Ellipsometry Instrumentation --  |g 6.3.1.  |t Rotating Analyzer SE for Ex-Situ Applications --  |g 6.3.2.  |t Rotating Compensator SE for Real-Time Applications --  |g 6.4.  |t Data Analysis --  |g 6.4.1.  |t Exact Numerical Inversion --  |g 6.4.2.  |t Least-Squares Regression --  |g 6.4.3.  |t Virtual Interface Analysis --  |g 6.5.  |t RTSE of Thin Film Photovoltaics --  |g 6.5.1.  |t Thin Si: H --  |g 6.5.2.  |t CdTe --  |g 6.5.3.  |t CuInSe2 --  |g 6.6.  |t Summary and Future --  |g 6.7.  |t Definition of Variables --  |t References --  |g 7.  |t Photoluminescence Analysis of Thin-Film Solar Cells /  |r Levent Gutay --  |g 7.1.  |t Introduction --  |g 7.2.  |t Experimental Issues --  |g 7.2.1.  |t Design of the Optical System --  |g 7.2.2.  |t Calibration --  |g 7.2.3.  |t Cryostat --  |g 7.3.  |t Basic Transitions --  |g 7.3.1.  |t Excitons --  |g 7.3.2.  |t Free-Bound Transitions --  |g 7.3.3.  |t Donor-Acceptor Pair Recombination --  |g 7.3.4.  |t Potential Fluctuations. 
505 0 0 |g 7.3.5.  |t Band-Band Transitions --  |g 7.4.  |t Case Studies --  |g 7.4.1.  |t Low-Temperature Photoluminescence Analysis --  |g 7.4.2.  |t Room-Temperature Measurements: Estimation of Voc from PL Yield --  |g 7.4.3.  |t Spatially Resolved Photoluminescence: Absorber Inhomogeneities --  |t References --  |g 8.  |t Steady-State Photocarrier Crating Method /  |r Rudolf Bruggemann --  |g 8.1.  |t Introduction --  |g 8.2.  |t Basic Analysis of SSPG and Photocurrent Response --  |g 8.2.1.  |t Optical Model --  |g 8.2.2.  |t Semiconductor Equations --  |g 8.2.3.  |t Diffusion Length: Ritter-Zeldov-Weiser Analysis --  |g 8.2.3.1.  |t Evaluation Schemes --  |g 8.2.4.  |t More Detailed Analyses --  |g 8.2.4.1.  |t Influence of the Dark Conductivity --  |g 8.2.4.2.  |t Influence of Traps --  |g 8.2.4.3.  |t Minority-Carrier and Majority-Carrier Mobility-Lifetime Products --  |g 8.3.  |t Experimental Setup --  |g 8.4.  |t Data Analysis --  |g 8.5.  |t Results --  |g 8.5.1.  |t Hydrogenated Amorphous Silicon --  |g 8.5.1.1.  |t Temperature and Generation Rate Dependence --  |g 8.5.1.2.  |t Surface Recombination --  |g 8.5.1.3.  |t Electric-Field Influence --  |g 8.5.1.4.  |t Fermi-Level Position --  |g 8.5.1.5.  |t Defects and Light-Induced Degradation. 
505 0 0 |g 8.5.1.6.  |t Thin-Film Characterization and Deposition Methods --  |g 8.5.2.  |t Hydrogenated Amorphous Silicon Alloys --  |g 8.5.3.  |t Hydrogenated Microcrystalline Silicon --  |g 8.5.4.  |t Hydrogenated Microcrystalline Germanium --  |g 8.5.5.  |t Other Thin-Film Semiconductors --  |g 8.6.  |t Density-of-States Determination --  |g 8.7.  |t Summary --  |t References --  |g 9.  |t Time-of-Flight Analysis /  |r Torsten Bronger --  |g 9.1.  |t Introduction --  |g 9.2.  |t Fundamentals of TOF Measurements --  |g 9.2.1.  |t Anomalous Dispersion --  |g 9.2.2.  |t Basic Electronic Properties of Thin-Film Semiconductors --  |g 9.3.  |t Experimental Details --  |g 9.3.1.  |t Accompanying Measurements --  |g 9.3.1.1.  |t Capacitance --  |g 9.3.1.2.  |t Collection --  |g 9.3.1.3.  |t Built-in Field --  |g 9.3.2.  |t Current Decay --  |g 9.3.3.  |t Charge Transient --  |g 9.3.4.  |t Possible Problems --  |g 9.3.4.1.  |t Dielectric Relaxation --  |g 9.3.5.  |t Inhomogeneous Field --  |g 9.4.  |t Analysis of TOF Results --  |g 9.4.1.  |t Multiple Trapping --  |g 9.4.1.1.  |t Overview of the Processes --  |g 9.4.1.2.  |t Energetic Distribution of Carriers --  |g 9.4.1.3.  |t Time Dependence of Electrical Current --  |g 9.4.2.  |t Spatial Charge Distribution --  |g 9.4.2.1.  |t Temperature Dependence. 
505 0 0 |g 9.4.3.  |t Density of States --  |g 9.4.3.1.  |t Widths of Band Tails --  |g 9.4.3.2.  |t Probing of Deep States --  |t References --  |g 10.  |t Electron-Spin Resonance (ESR) in Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si: H) /  |r Jan Behrends --  |g 10.1.  |t Introduction --  |g 10.2.  |t Basics of ESR --  |g 10.3.  |t How to Measure ESR --  |g 10.3.1.  |t ESR Setup and Measurement Procedure --  |g 10.3.2.  |t Pulse ESR --  |g 10.3.3.  |t Sample Preparation --  |g 10.4.  |t The g Tensor and Hyperfine Interaction in Disordered Solids --  |g 10.4.1.  |t Zeeman Energy and g Tensor --  |g 10.4.2.  |t Hyperfine Interaction --  |g 10.4.3.  |t Line-Broadening Mechanisms --  |g 10.5.  |t Discussion of Selected Results --  |g 10.5.1.  |t ESR on Undoped a-Si: H --  |g 10.5.2.  |t LESR on Undoped a-Si: H --  |g 10.5.3.  |t ESR on Doped a-Si: H --  |g 10.5.4.  |t Light-Induced Degradation in a-Si: H --  |g 10.5.4.1.  |t Excess Charge-Carrier Recombination and Weak Si-Si Bond Breaking --  |g 10.5.4.2.  |t Si-H Bond Dissociation and Hydrogen Collision Model --  |g 10.5.4.3.  |t Transformation of Existing Nonparamagnetic Charged Dangling-Bond Defects --  |g 10.6.  |t Alternative ESR Detection --  |g 10.6.1.  |t History of EDMR --  |g 10.6.2.  |t EDMR on a-Si: H Solar Cells. 
505 0 0 |g 10.7.  |t Concluding Remarks --  |t References --  |g 11.  |t Scanning Probe Microscopy on Inorganic Thin Films for Solar Cells /  |r Iris Visoly-Fisher --  |g 11.1.  |t Introduction --  |g 11.2.  |t Experimental Background --  |g 11.2.1.  |t Atomic Force Microscopy --  |g 11.2.1.1.  |t Contact Mode --  |g 11.2.1.2.  |t Noncontact Mode --  |g 11.2.2.  |t Conductive Atomic Force Microscopy --  |g 11.2.3.  |t Scanning Capacitance Microscopy --  |g 11.2.4.  |t Kelvin Probe Force Microscopy --  |g 11.2.5.  |t Scanning Tunneling Microscopy --  |g 11.2.6.  |t Issues of Sample Preparation --  |g 11.3.  |t Selected Applications --  |g 11.3.1.  |t Surface Homogeneity --  |g 11.3.2.  |t Grain Boundaries --  |g 11.3.3.  |t Cross-Sectional Studies --  |g 11.4.  |t Summary --  |t References --  |g 12.  |t Electron Microscopy on Thin Films for Solar Cells /  |r Sebastian S. Schmidt --  |g 12.1.  |t Introduction --  |g 12.2.  |t Scanning Electron Microscopy --  |g 12.2.1.  |t Imaging Techniques --  |g 12.2.2.  |t Electron Backscatter Diffraction --  |g 12.2.3.  |t Energy-Dispersive and Wavelength-Dispersive X-Ray Spectrometry --  |g 12.2.4.  |t Electron-Beam-Induced Current Measurements --  |g 12.2.4.1.  |t Electron-Beam Generation --  |g 12.2.4.2.  |t Charge-Carrier Collection in a Solar Cell. 
505 0 0 |g 12.2.4.3.  |t Experimental Setups --  |g 12.2.4.4.  |t Critical Issues --  |g 12.2.5.  |t Cathodoluminescence --  |g 12.2.5.1.  |t Example: Spectrum Imaging of CdTe Thin Films --  |g 12.2.6.  |t Scanning Probe and Scanning-Probe Microscopy Integrated Platform --  |g 12.2.7.  |t Combination of Various Scanning Electron Microscopy Techniques --  |g 12.3.  |t Transmission Electron Microscopy --  |g 12.3.1.  |t Imaging Techniques --  |g 12.3.1.1.  |t Bright-Field and Dark-Field Imaging in the Conventional Mode --  |g 12.3.1.2.  |t High-Resolution Imaging in the Conventional Mode --  |g 12.3.1.3.  |t Imaging in the Scanning Mode Using an Annular Dark-Field Detector --  |g 12.3.2.  |t Electron Diffraction. 
505 0 0 |g Note continued:  |g 12.3.2.1.  |t Selected-Area Electron Diffraction in the Conventional Mode --  |g 12.3.2.2.  |t Convergent-Beam Electron Diffraction in the Scanning Mode --  |g 12.3.3.  |t Electron Energy-Loss Spectrometry and Energy-Filtered Transmission Electron Microscopy --  |g 12.3.3.1.  |t Scattering Theory --  |g 12.3.3.2.  |t Experiment and Setup --  |g 12.3.3.3.  |t The Energy-Loss Spectrum --  |g 12.3.3.4.  |t Applications and Comparison with EDX Spectroscopy --  |g 12.3.4.  |t Off-Axis and In-Line Electron Holography --  |g 12.4.  |t Sample Preparation Techniques --  |g 12.4.1.  |t Preparation for Scanning Electron Microscopy --  |g 12.4.2.  |t Preparation for Transmission Electron Microscopy --  |t References --  |g 13.  |t X-Ray and Neutron Diffraction on Materials for Thin-Film Solar Cells /  |r Roland Mainz --  |g 13.1.  |t Introduction --  |g 13.2.  |t Diffraction of X-Rays and Neutron by Matter --  |g 13.3.  |t Neutron Powder Diffraction of Absorber Materials for Thin-Film Solar Cells --  |g 13.3.1.  |t Example: Investigation of Intrinsic Point Defects in Nonstoichiometric CuInSe2 by Neutron Diffraction. 
505 0 0 |g 13.4.  |t Grazing Incidence X-Ray Diffraction (GIXRD) --  |g 13.5.  |t Energy Dispersive X-Ray Diffraction (EDXRD) --  |t References --  |g 14.  |t Raman Spectroscopy on Thin Films for Solar Cells /  |r Alejandro Perez-Rodriguez --  |g 14.1.  |t Introduction --  |g 14.2.  |t Fundamentals of Raman Spectroscopy --  |g 14.3.  |t Vibrational Modes in Crystalline Materials --  |g 14.4.  |t Experimental Considerations --  |g 14.4.1.  |t Laser Source --  |g 14.4.2.  |t Light Collection and Focusing Optics --  |g 14.4.3.  |t Spectroscopic Module --  |g 14.5.  |t Characterization of Thin-Film Photovoltaic Materials --  |g 14.5.1.  |t Identification of Crystalline Structures --  |g 14.5.2.  |t Evaluation of Film Crystallinity --  |g 14.5.3.  |t Chemical Analysis of Semiconducting Alloys --  |g 14.5.4.  |t Nanocrystalline and Amorphous Materials --  |g 14.5.5.  |t Evaluation of Stress --  |g 14.6.  |t Conclusions --  |t References --  |g 15.  |t Soft X-Ray and Electron Spectroscopy: A Unique "Tool Chest" to Characterize the Chemical and Electronic Properties of Surfaces and Interfaces /  |r Clemens Heske --  |g 15.1.  |t Introduction --  |g 15.2.  |t Characterization Techniques --  |g 15.3.  |t Probing the Chemical Surface Structure: Impact of Wet Chemical Treatments on Thin-Film Solar Cell Absorbers. 
505 0 0 |g 15.4.  |t Probing the Electronic Surface and Interface Structure: Band Alignment in Thin-Film Solar Cells --  |g 15.5.  |t Summary --  |t References --  |g 16.  |t Elemental Distribution Profiling of Thin Films for Solar Cells /  |r Raquel Caballero --  |g 16.1.  |t Introduction --  |g 16.2.  |t Glow Discharge-Optical Emission (GD-OES) and Glow Discharge-Mass Spectroscopy (GD-MS) --  |g 16.2.1.  |t Principles --  |g 16.2.2.  |t Instrumentation --  |g 16.2.2.1.  |t Plasma Sources --  |g 16.2.2.2.  |t Plasma Conditions --  |g 16.2.2.3.  |t Detection of Optical Emission --  |g 16.2.2.4.  |t Mass Spectroscopy --  |g 16.2.3.  |t Quantification --  |g 16.2.3.1.  |t Glow Discharge-Optical Emission Spectroscopy --  |g 16.2.3.2.  |t Glow Discharge-Mass Spectroscopy --  |g 16.2.4.  |t Applications --  |g 16.2.4.1.  |t Glow Discharge-Optical Emission Spectroscopy --  |g 16.2.4.2.  |t Glow Discharge-Mass Spectroscopy --  |g 16.3.  |t Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) --  |g 16.3.1.  |t Principle of the Method --  |g 16.3.2.  |t Data Analysis --  |g 16.3.3.  |t Quantification --  |g 16.3.4.  |t Applications for Solar Cells --  |g 16.4.  |t Auger Electron Spectroscopy (AES) --  |g 16.4.1.  |t Introduction --  |g 16.4.2.  |t The Auger Process --  |g 16.4.3.  |t Auger Electron Signals. 
505 0 0 |g 16.4.4.  |t Instrumentation --  |g 16.4.5.  |t Auger Electron Signal Intensities and Quantification --  |g 16.4.6.  |t Quantification --  |g 16.4.7.  |t Application --  |g 16.5.  |t X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) --  |g 16.5.1.  |t Theoretical Principles --  |g 16.5.2.  |t Instrumentation --  |g 16.5.3.  |t Application to Thin Film Solar Cells --  |g 16.6.  |t Energy-Dispersive X-Ray Analysis on Fractured Cross Sections --  |g 16.6.1.  |t Basics on Energy-Dispersive X-Ray Spectrometry in a Scanning Electron Microscope --  |g 16.6.2.  |t Spatial Resolutions --  |g 16.6.3.  |t Applications --  |g 16.6.3.1.  |t Sample Preparation --  |t References --  |g 17.  |t Hydrogen Effusion Experiments /  |r Florian Einsele --  |g 17.1.  |t Introduction --  |g 17.2.  |t Experimental Setup --  |g 17.3.  |t Data Analysis --  |g 17.3.1.  |t Identification of Rate-Limiting Process --  |g 17.3.2.  |t Analysis of Diffusing Hydrogen Species from Hydrogen Effusion Measurements --  |g 17.3.3.  |t Analysis of H2 Surface Desorption --  |g 17.3.4.  |t Analysis of Diffusion-Limited Effusion --  |g 17.3.5.  |t Analysis of Effusion Spectra in Terms of Hydrogen Density of States --  |g 17.3.6.  |t Analysis of Film Microstructure by Effusion of Implanted Rare Gases. 
505 0 0 |g 17.4.  |t Discussion of Selected Results --  |g 17.4.1.  |t Amorphous Silicon and Germanium Films --  |g 17.4.1.1.  |t Material Density versus Annealing and Hydrogen Content --  |g 17.4.1.2.  |t Effect of Doping on H Effusion --  |g 17.4.2.  |t Amorphous Silicon Alloys: Si-C --  |g 17.4.3.  |t Microcrystalline Silicon --  |g 17.4.4.  |t Zinc Oxide Films --  |g 17.5.  |t Comparison with Other Experiments --  |g 17.6.  |t Concluding Remarks --  |t References --  |g pt. Four  |t Materials and Device Modeling --  |g 18.  |t Ab-Initio Modeling of Defects in Semiconductors /  |r Johan Pohl --  |g 18.1.  |t Introduction --  |g 18.2.  |t Density Functional Theory and Methods --  |g 18.2.1.  |t Basis Sets --  |g 18.2.2.  |t Functionals for Exchange and Correlation --  |g 18.2.2.1.  |t Local Approximations --  |g 18.2.2.2.  |t Functionals Beyond LDA/GGA --  |g 18.3.  |t Methods Beyond DFT --  |g 18.4.  |t From Total Energies to Materials' Properties --  |g 18.5.  |t Ab-initio Characterization of Point Defects --  |g 18.5.1.  |t Thermodynamics of Point Defects --  |g 18.5.2.  |t Formation Energies from Ab-Initio Calculations --  |g 18.5.3.  |t Case study Point Defects in ZnO --  |g 18.6.  |t Conclusions --  |t References --  |g 19.  |t One-Dimensional Electro-Optical Simulations of Thin-Film Solar Cells /  |r Thomas Kirchartz. 
505 0 0 |g 19.1.  |t Introduction --  |g 19.2.  |t Fundamentals --  |g 19.3.  |t Modeling Hydrogenated Amorphous and Microcrystalline Silicon --  |g 19.3.1.  |t Density of States and Transport Hydrogenated Amorphous Silicon --  |g 19.3.2.  |t Density of States and Transport Hydrogenated Microcrystalline Silicon --  |g 19.3.3.  |t Modeling Recombination in a-Si: H and & mu;c-Si: H --  |g 19.3.3.1.  |t Recombination Statistics for Single-Electron States: Shockley-Read-Hall Recombination --  |g 19.3.3.2.  |t Recombination Statistics for Amphoteric States --  |g 19.3.4.  |t Modeling Cu(In, Ga)Se2 Solar Cells --  |g 19.3.4.1.  |t Graded Band-Gap Devices --  |g 19.3.4.2.  |t Issues when Modeling Graded Band-Gap Devices --  |g 19.3.4.3.  |t Example --  |g 19.3.5.  |t Modeling of CdTe Solar Cells --  |g 19.3.5.1.  |t Baseline --  |g 19.3.5.2.  |t The & Phi;b -- NAc (Barrier-Doping) Trade-Off --  |g 19.3.5.3.  |t C-V Analysis as an Interpretation Aid of I-V Curves --  |g 19.4.  |t Optical Modeling of Thin Solar Cells --  |g 19.4.1.  |t Coherent Modeling of Flat Interfaces --  |g 19.4.2.  |t Modeling of Rough Interfaces --  |g 19.5.  |t Tools --  |g 19.5.1.  |t AFORS-HET --  |g 19.5.2.  |t AMPS-1D --  |g 19.5.3.  |t ASA --  |g 19.5.4.  |t PC1D --  |g 19.5.5.  |t SCAPS. 
505 0 0 |g 19.5.6.  |t SC-SIMUL --  |t References --  |g 20.  |t Two- and Three-Dimensional Electronic Modeling of Thin-Film Solar Cells /  |r Wyatt K. Metzger --  |g 20.1.  |t Introduction --  |g 20.2.  |t Applications --  |g 20.3.  |t Methods --  |g 20.3.1.  |t Equivalent-Circuit Modeling --  |g 20.3.2.  |t Solving Semiconductor Equations --  |g 20.4.2.1.  |t Creating a Semiconductor Model --  |g 20.4.  |t Examples --  |g 20.4.1.  |t Equivalent-Circuit Modeling Examples --  |g 20.4.2.  |t Semiconductor Modeling Examples --  |g 20.5.  |t Summary --  |t References. 
588 0 |a Print version record. 
650 0 |a Photovoltaic cells  |x Materials  |x Research. 
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776 0 8 |i Print version:  |t Advanced characterization techniques for thin film solar cells.  |d Weinheim, Germany : Wiley-VCH, ©2011  |z 3527410031  |w (OCoLC)676728907 
856 4 0 |u https://doi.org/10.1002/9783527636280  |z Full Text via HEAL-Link 
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