Leakage in Nanometer CMOS Technologies
Scaling transistors into the nanometer regime has resulted in a dramatic increase in MOS leakage (i.e., off-state) current. Threshold voltages of transistors have scaled to maintain performance at reduced power supply voltages. Leakage current has become a major portion of the total power consumptio...
Κύριοι συγγραφείς: | , |
---|---|
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | |
Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο |
Γλώσσα: | English |
Έκδοση: |
Boston, MA :
Springer US,
2006.
|
Σειρά: | Series on Integrated Circuits and Systems,
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | Full Text via HEAL-Link |
Διαδίκτυο
Full Text via HEAL-LinkΒΚΠ - Πατρα: ALFd
Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
---|---|
Αντίγραφο 1 | Στη βιβλιοθήκη |
ΒΚΠ - Πατρα: BSC
Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
---|---|
Αντίγραφο 2 | Στη βιβλιοθήκη |
Αντίγραφο 3 | Στη βιβλιοθήκη |