Design for Manufacturability and Yield for Nano-Scale CMOS
As we approach the 32 nm CMOS technology node the design and manufacturing communities are dealing with a lithography system that has to print circuit artifacts that are significantly less than half the wavelength of the light source used, with new materials, with tighter pitches, and higher aspect...
Κύριοι συγγραφείς: | , |
---|---|
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | |
Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο |
Γλώσσα: | English |
Έκδοση: |
Dordrecht :
Springer Netherlands,
2007.
|
Σειρά: | Series on Integrated Circuits and Systems,
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | Full Text via HEAL-Link |
Διαδίκτυο
Full Text via HEAL-LinkΒΚΠ - Πατρα: ALFd
Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
---|---|
Αντίγραφο 1 | Στη βιβλιοθήκη |
ΒΚΠ - Πατρα: BSC
Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
---|---|
Αντίγραφο 2 | Στη βιβλιοθήκη |
Αντίγραφο 3 | Στη βιβλιοθήκη |