Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices Insights from First-Principles Simulations /
Ge and III–V compounds, semiconductors with high carrier mobilities, are candidates to replace Si as the channel in MOS devices. 2D materials – like graphene and MoS_2 – are also envisioned to replace Si in the future. This thesis is devoted to the first-principles modeling of the vibrational prop...
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | |
| Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο |
| Γλώσσα: | English |
| Έκδοση: |
Cham :
Springer International Publishing : Imprint: Springer,
2014.
|
| Σειρά: | Springer Theses, Recognizing Outstanding Ph.D. Research,
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | Full Text via HEAL-Link |
Διαδίκτυο
Full Text via HEAL-LinkΒΚΠ - Πατρα: ALFd
| Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
|---|---|
| Αντίγραφο 1 | Στη βιβλιοθήκη |
ΒΚΠ - Πατρα: BSC
| Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
|---|---|
| Αντίγραφο 2 | Στη βιβλιοθήκη |
| Αντίγραφο 3 | Στη βιβλιοθήκη |