Emerging Resistive Switching Memories

This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Ouyang, Jianyong (Συγγραφέας)
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: SpringerLink (Online service)
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Cham : Springer International Publishing : Imprint: Springer, 2016.
Σειρά:SpringerBriefs in Materials,
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Full Text via HEAL-Link

Διαδίκτυο

Full Text via HEAL-Link

ΒΚΠ - Πατρα: ALFd

Λεπτομέρειες τεκμηρίων από ΒΚΠ - Πατρα: ALFd
Ταξιθετικός Αριθμός: 330.01 BAU
Αντίγραφο 1 Στη βιβλιοθήκη

ΒΚΠ - Πατρα: BSC

Λεπτομέρειες τεκμηρίων από ΒΚΠ - Πατρα: BSC
Ταξιθετικός Αριθμός: 330.01 BAU
Αντίγραφο 2 Στη βιβλιοθήκη
Αντίγραφο 3 Στη βιβλιοθήκη