Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore’s law? At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility semiconductor materials (e.g. strained Si, al...
Πλήρης περιγραφή
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: |
SpringerLink (Online service) |
|---|
| Άλλοι συγγραφείς: |
Dimoulas, Athanasios
(Επιμελητής έκδοσης),
Gusev, Evgeni
(Επιμελητής έκδοσης),
McIntyre, Paul C.
(Επιμελητής έκδοσης),
Heyns, Marc
(Επιμελητής έκδοσης) |
|---|
| Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή
Ηλ. βιβλίο
|
|---|
| Γλώσσα: | English |
|---|
| Έκδοση: |
Berlin, Heidelberg :
Springer Berlin Heidelberg,
2007.
|
|---|
| Σειρά: | Advanced Microelectronics,
27
|
|---|
| Θέματα: | |
|---|
| Διαθέσιμο Online: | Full Text via HEAL-Link
|
|---|
