Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors

• Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: SpringerLink (Online service)
• Άλλοι συγγραφείς: Dimoulas, Athanasios (Επιμελητής έκδοσης), Gusev, Evgeni (Επιμελητής έκδοσης), McIntyre, Paul C. (Επιμελητής έκδοσης), Heyns, Marc (Επιμελητής έκδοσης)
• Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο
• Γλώσσα: English
• Έκδοση: Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2007.
• Σειρά: Advanced Microelectronics, 27
• Θέματα: Engineering.; Electronics.; Microelectronics.; Electronics and Microelectronics, Instrumentation.

Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore’s law? At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility semiconductor materials (e.g. strained Si, al...