Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore’s law? At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility semiconductor materials (e.g. strained Si, al...
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | SpringerLink (Online service) |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | Dimoulas, Athanasios (Επιμελητής έκδοσης), Gusev, Evgeni (Επιμελητής έκδοσης), McIntyre, Paul C. (Επιμελητής έκδοσης), Heyns, Marc (Επιμελητής έκδοσης) |
Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο |
Γλώσσα: | English |
Έκδοση: |
Berlin, Heidelberg :
Springer Berlin Heidelberg,
2007.
|
Σειρά: | Advanced Microelectronics,
27 |
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | Full Text via HEAL-Link |
Παρόμοια τεκμήρια
-
Defects in High-k Gate Dielectric Stacks Nano-Electronic Semiconductor Devices /
Έκδοση: (2006) -
High Permittivity Gate Dielectric Materials
Έκδοση: (2013) -
Integration of Functional Oxides with Semiconductors
ανά: Demkov, Alexander A., κ.ά.
Έκδοση: (2014) -
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
ανά: Sverdlov, Viktor
Έκδοση: (2011) -
Fundamentals of Semiconductors Physics and Materials Properties /
ανά: Yu, Peter Y., κ.ά.
Έκδοση: (2010)