Growth Mechanisms and Novel Properties of Silicon Nanostructures from Quantum-Mechanical Calculations

In this volume, Prof. Zhang reviews the systematic theoretical studies in his group on the growth mechanisms and properties of silicon quantum dots, nanotubes and nanowires, including: mechanisms of oxide-assisted growth of silicon nanowires, energetic stability of pristine silicon nanowires and nan...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Zhang, Rui-Qin (Συγγραφέας)
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: SpringerLink (Online service)
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg : Imprint: Springer, 2014.
Σειρά:SpringerBriefs in Molecular Science,
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Full Text via HEAL-Link
Πίνακας περιεχομένων:
  • Introduction
  • Growth mechanism of silicon nanowires
  • Stability of silicon nanostructures
  • Novel electronic properties of silicon nanostructures
  • Summary and remarks.