Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling /
This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based mode...
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: | |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | |
Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο |
Γλώσσα: | English |
Έκδοση: |
New Delhi :
Springer India : Imprint: Springer,
2016.
|
Έκδοση: | 1st ed. 2015. |
Σειρά: | Springer Series in Advanced Microelectronics,
52 |
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | Full Text via HEAL-Link |
Διαδίκτυο
Full Text via HEAL-LinkΒΚΠ - Πατρα: ALFd
Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
---|---|
Αντίγραφο 1 | Στη βιβλιοθήκη |
ΒΚΠ - Πατρα: BSC
Ταξιθετικός Αριθμός: |
330.01 BAU |
---|---|
Αντίγραφο 2 | Στη βιβλιοθήκη |
Αντίγραφο 3 | Στη βιβλιοθήκη |