Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM

This book provides a comprehensive overview of contemporary issues in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) device design, describing how to overcome process-induced random variations such as line-edge-roughness, random-dopant-fluctuation, and work-function variation, and the applications o...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Shin, Changhwan (Συγγραφέας)
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: SpringerLink (Online service)
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Dordrecht : Springer Netherlands : Imprint: Springer, 2016.
Σειρά:Springer Series in Advanced Microelectronics, 56
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Full Text via HEAL-Link

Παρόμοια τεκμήρια