Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories Device Physics and Applications /

This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory has interesting fundamental device physics an...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: SpringerLink (Online service)
Άλλοι συγγραφείς: Park, Byung-Eun (Επιμελητής έκδοσης), Ishiwara, Hiroshi (Επιμελητής έκδοσης), Okuyama, Masanori (Επιμελητής έκδοσης), Sakai, Shigeki (Επιμελητής έκδοσης), Yoon, Sung-Min (Επιμελητής έκδοσης)
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Ηλ. βιβλίο
Γλώσσα:English
Έκδοση: Dordrecht : Springer Netherlands : Imprint: Springer, 2016.
Σειρά:Topics in Applied Physics, 131
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:Full Text via HEAL-Link

Διαδίκτυο

Full Text via HEAL-Link

ΒΚΠ - Πατρα: ALFd

Λεπτομέρειες τεκμηρίων από ΒΚΠ - Πατρα: ALFd
Ταξιθετικός Αριθμός: 330.01 BAU
Αντίγραφο 1 Στη βιβλιοθήκη

ΒΚΠ - Πατρα: BSC

Λεπτομέρειες τεκμηρίων από ΒΚΠ - Πατρα: BSC
Ταξιθετικός Αριθμός: 330.01 BAU
Αντίγραφο 2 Στη βιβλιοθήκη
Αντίγραφο 3 Στη βιβλιοθήκη