Ανάπτυξη και χαρακτηρισμός δομών p-Si / Ta2O5 / Al

• Κύριος συγγραφέας: Κόρκος, Σπυρίδων
• Άλλοι συγγραφείς: Κροντηράς, Χριστόφορος
• Μορφή: Thesis
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2018
• Θέματα: Δομές MOS; Υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς; Εναπόθεση ατομικού στρώματος; Πυρίτιο τύπου p; Χημικός χαρακτηρισμός; Δομικός χαρακτηρισμός; Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός; Μηχανισμοί αγωγιμότητας; 537.24; ΜOS structures; High-k dielectrics; Atomic layer deposition (ALD); p-Silicon (p-Si); Ta2O5; Chemical characterization; Structural characterization; Electrical characterization; Conduction mechanisms

Είναι γνωστό ότι η διαρκής σμίκρυνση των διαστάσεων ενός τρανζίστορ MOSFET συνοδεύεται από την παράλληλη διαρκή μείωση των διαστάσεων του SiΟ2 ως διηλεκτρικού πύλης, καθώς για πάχη μικρότερα των 2nm το SiO2 καθίσταται διαπερατό από ηλεκτρικούς φορείς λόγω του φαινομένου σήραγγος. Ως εκ τούτου η σύγχ...