Ανάπτυξη και χαρακτηρισμός δομών p-Si / Ta2O5 / Al
Είναι γνωστό ότι η διαρκής σμίκρυνση των διαστάσεων ενός τρανζίστορ MOSFET συνοδεύεται από την παράλληλη διαρκή μείωση των διαστάσεων του SiΟ2 ως διηλεκτρικού πύλης, καθώς για πάχη μικρότερα των 2nm το SiO2 καθίσταται διαπερατό από ηλεκτρικούς φορείς λόγω του φαινομένου σήραγγος. Ως εκ τούτου η σύγχ...
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | Thesis |
| Γλώσσα: | Greek |
| Έκδοση: |
2018
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | http://hdl.handle.net/10889/11189 |
