Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων

Στην παρούσα Διδακτορική Διατριβή μελετήθηκε διεξοδικά ο σχεδιασμός, η υλοποίηση και ο χαρακτηρισμός διατάξεων μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης (Resistive Random Access Memories – ReRAM) της με μεταβλητά ηλεκτρόδια για διάφορους τύπους μονωτικού υλικού. Ο τύπος των διατάξεων ReRAM που εξετά...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Καρακόλης, Παναγιώτης
Άλλοι συγγραφείς: Σκαρλάτος, Δημήτριος
Μορφή: Thesis
Γλώσσα:Greek
Έκδοση: 2020
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:http://hdl.handle.net/10889/13252