Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων

Στην παρούσα Διδακτορική Διατριβή μελετήθηκε διεξοδικά ο σχεδιασμός, η υλοποίηση και ο χαρακτηρισμός διατάξεων μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης (Resistive Random Access Memories – ReRAM) της με μεταβλητά ηλεκτρόδια για διάφορους τύπους μονωτικού υλικού. Ο τύπος των διατάξεων ReRAM που εξετά...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Καρακόλης, Παναγιώτης
Other Authors: Σκαρλάτος, Δημήτριος
Format: Thesis
Language:Greek
Published: 2020
Subjects:
Online Access:http://hdl.handle.net/10889/13252
id nemertes-10889-13252
record_format dspace
institution UPatras
collection Nemertes
language Greek
topic Μη πτητικές μνήμες
Μνήμες δισταθμικής αντίστασης
Νιτρίδιο του πυριτίου
Γραφένιο
Τροποποίηση διεπιφανειών
Non volatile memories
Resistive Random Access Memories
Silicon nitride
ALD
Graphene
Intreface modification
621.381
spellingShingle Μη πτητικές μνήμες
Μνήμες δισταθμικής αντίστασης
Νιτρίδιο του πυριτίου
Γραφένιο
Τροποποίηση διεπιφανειών
Non volatile memories
Resistive Random Access Memories
Silicon nitride
ALD
Graphene
Intreface modification
621.381
Καρακόλης, Παναγιώτης
Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων
description Στην παρούσα Διδακτορική Διατριβή μελετήθηκε διεξοδικά ο σχεδιασμός, η υλοποίηση και ο χαρακτηρισμός διατάξεων μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης (Resistive Random Access Memories – ReRAM) της με μεταβλητά ηλεκτρόδια για διάφορους τύπους μονωτικού υλικού. Ο τύπος των διατάξεων ReRAM που εξετάστηκαν είναι της δομής «μέταλλο- μονωτής – μέταλλο» (Metal – Insulator – Metal, MIM) και «μέταλλο – μονωτής – ημιαγωγός» (Metal – Insulator – Semiconductor, MIS) . Συνολικά, εξετάστηκαν δυο διαφορετικές κατηγορίες διατάξεων με βάση τον τύπο του μονωτικού υλικού: 1) Διατάξεις μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης με βάση το νιτρίδιο (νιτρίδιο του πυριτίου - Si3N4)ως μονωτικό υλικό για διάφορους τύπους μετάλλου ως πάνω και κάτω ηλεκτρόδιο. 2) Διατάξεις μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης με βάση οξείδια (Οξείδιο του ταντάλου - TaOx, οξείδιο του χαφνίου – HfOx). Ο χαρακτηρισμός των διατάξεων συμπεριέλαβε: 1) Τον μορφολογικό / οπτικό χαρακτηρισμό των διατάξεων ώστε να εξεταστεί η επιφανειακή δομή των υλικών. Πιο συγκεκριμένα, πραγματοποιήθηκαν επιτυχώς μετρήσεις μικροσκοπίας μετάδοσης ηλεκτρονίων υψηλής ανάλυσης (HR-TEM), μικροσκοπία ατομικής δέσμης (AFM), φασματοσκοπία μάζας δευτερογενών ιόντων (SIMS). Επιπλέον, εκτελέστηκαν και μετρήσεις φασματοσκοπίας Raman για τον χαρακτηρισμό του στρώματος γραφενίου που χρησιμοποιήθηκε στις διατάξεις. 2) Τον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό των διατάξεων ώστε να καθοριστεί η συμπεριφορά τους σε επίπεδο ολοκληρωμένου κυκλώματος, με χρήση των μετρήσεων ρεύματος – τάσης (I-V) αλλά και φασματοσκοπίας σύνθετης αντίστασης (C-F). Για τις διατάξεις μνημών με βάση οξείδια πραγματοποιήθηκαν και μετρήσεις κυκλικής βολταμετρίας (Cyclic voltammetry). Επίσης, εξετάστηκε η χρήση του γραφενίου ως μεταβλητό ηλεκτρόδιο στις διατάξεις αυτές.
author2 Σκαρλάτος, Δημήτριος
author_facet Σκαρλάτος, Δημήτριος
Καρακόλης, Παναγιώτης
format Thesis
author Καρακόλης, Παναγιώτης
author_sort Καρακόλης, Παναγιώτης
title Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων
title_short Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων
title_full Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων
title_fullStr Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων
title_full_unstemmed Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων
title_sort διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων
publishDate 2020
url http://hdl.handle.net/10889/13252
work_keys_str_mv AT karakolēspanagiōtēs diataxeismnēmēsdistathmikēsantistasēsmetropopoiēmenesdiepiphaneiesēlektrodiōn
AT karakolēspanagiōtēs resistiverandomaccessmemoriesreramwithmodifiedelectrodes
_version_ 1771297355978506240
spelling nemertes-10889-132522022-09-05T20:42:27Z Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων Resistive Random Access Memories (ReRAM) with modified electrodes Καρακόλης, Παναγιώτης Σκαρλάτος, Δημήτριος Δημητράκης, Παναγιώτης Παπαγγελής, Κωνσταντίνος Συρακούλης, Γεώργιος Παλίλης, Λεωνίδας Λευθεριώτης, Γεώργιος Ψυχαλίνος, Κωνσταντίνος Karakolis, Panagiotis Μη πτητικές μνήμες Μνήμες δισταθμικής αντίστασης Νιτρίδιο του πυριτίου Γραφένιο Τροποποίηση διεπιφανειών Non volatile memories Resistive Random Access Memories Silicon nitride ALD Graphene Intreface modification 621.381 Στην παρούσα Διδακτορική Διατριβή μελετήθηκε διεξοδικά ο σχεδιασμός, η υλοποίηση και ο χαρακτηρισμός διατάξεων μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης (Resistive Random Access Memories – ReRAM) της με μεταβλητά ηλεκτρόδια για διάφορους τύπους μονωτικού υλικού. Ο τύπος των διατάξεων ReRAM που εξετάστηκαν είναι της δομής «μέταλλο- μονωτής – μέταλλο» (Metal – Insulator – Metal, MIM) και «μέταλλο – μονωτής – ημιαγωγός» (Metal – Insulator – Semiconductor, MIS) . Συνολικά, εξετάστηκαν δυο διαφορετικές κατηγορίες διατάξεων με βάση τον τύπο του μονωτικού υλικού: 1) Διατάξεις μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης με βάση το νιτρίδιο (νιτρίδιο του πυριτίου - Si3N4)ως μονωτικό υλικό για διάφορους τύπους μετάλλου ως πάνω και κάτω ηλεκτρόδιο. 2) Διατάξεις μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης με βάση οξείδια (Οξείδιο του ταντάλου - TaOx, οξείδιο του χαφνίου – HfOx). Ο χαρακτηρισμός των διατάξεων συμπεριέλαβε: 1) Τον μορφολογικό / οπτικό χαρακτηρισμό των διατάξεων ώστε να εξεταστεί η επιφανειακή δομή των υλικών. Πιο συγκεκριμένα, πραγματοποιήθηκαν επιτυχώς μετρήσεις μικροσκοπίας μετάδοσης ηλεκτρονίων υψηλής ανάλυσης (HR-TEM), μικροσκοπία ατομικής δέσμης (AFM), φασματοσκοπία μάζας δευτερογενών ιόντων (SIMS). Επιπλέον, εκτελέστηκαν και μετρήσεις φασματοσκοπίας Raman για τον χαρακτηρισμό του στρώματος γραφενίου που χρησιμοποιήθηκε στις διατάξεις. 2) Τον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό των διατάξεων ώστε να καθοριστεί η συμπεριφορά τους σε επίπεδο ολοκληρωμένου κυκλώματος, με χρήση των μετρήσεων ρεύματος – τάσης (I-V) αλλά και φασματοσκοπίας σύνθετης αντίστασης (C-F). Για τις διατάξεις μνημών με βάση οξείδια πραγματοποιήθηκαν και μετρήσεις κυκλικής βολταμετρίας (Cyclic voltammetry). Επίσης, εξετάστηκε η χρήση του γραφενίου ως μεταβλητό ηλεκτρόδιο στις διατάξεις αυτές. In this PhD dissertation, the design, implementation and characterization of Resistive Random Access Memories (ReRAM) devices with variable electrodes for various types of insulating material have been extensively studied. The structure of the ReRAM devices examined is Metal - Insulator - Metal (MIM) and Metal – Insulator – Semiconductor (MIS). Altogether, two different categories of devices were fabricated and examined according to the type of insulating material sandwiched between the two metal electrodes: 1) Non-volatile memory devices based on nitride (silicon nitride - Si3N4) as insulating material for various types of metal as top and bottom electrode. 2) Non-volatile memory devices with binary oxide materials (Tantalum Oxide - TaOx, Hafnium Oxide - HFOx), as insulating materials at the MIM structure. The characterization of the devices included: 1) The morphological / optical characterization of the devices to examine the surface topology of the materials. In particular, high resolution electron microscopy (HR-TEM), atomic beam microscopy (AFM), secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurements have been successfully performed. In addition, Raman spectroscopy measurements were performed to characterize the graphene layer used in the fabricated devices. 2) Electrical characterization of the devices to determine their behavior from the electrical standpoint, using the current-voltage (I-V) and C-F impedance spectroscopy measurements. Cyclic voltammetry measurements were also performed for the oxide-based memory devices. Finally, the use of graphene as a variable electrode was examined in these devices. 2020-02-29T20:46:16Z 2020-02-29T20:46:16Z 2020-02 Thesis http://hdl.handle.net/10889/13252 gr 0 application/pdf