Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων

• Κύριος συγγραφέας: Καρακόλης, Παναγιώτης
• Άλλοι συγγραφείς: Σκαρλάτος, Δημήτριος
• Μορφή: Thesis
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2020
• Θέματα: Μη πτητικές μνήμες; Μνήμες δισταθμικής αντίστασης; Νιτρίδιο του πυριτίου; Γραφένιο; Τροποποίηση διεπιφανειών; Non volatile memories; Resistive Random Access Memories; Silicon nitride; ALD; Graphene; Intreface modification; 621.381

Στην παρούσα Διδακτορική Διατριβή μελετήθηκε διεξοδικά ο σχεδιασμός, η υλοποίηση και ο χαρακτηρισμός διατάξεων μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης (Resistive Random Access Memories – ReRAM) της με μεταβλητά ηλεκτρόδια για διάφορους τύπους μονωτικού υλικού. Ο τύπος των διατάξεων ReRAM που εξετά...