Αλληλεπίδραση ηλεκτροδίων - διηλεκτρικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς σε δομές MIS ημιαγωγών της ομάδας IV

• Κύριος συγγραφέας: Ρελλιάς, Γιώργος
• Άλλοι συγγραφείς: Rellias, Yorgos
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2022
• Θέματα: Αλούμινα (Al2O3); Δομές MOS; Πυρίτιο; Ατομική εναπόθεση στρώματος; Ανόπτηση; Οξείδια υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς; Aluminum oxide (Al2O3); MOS structures; Silicon (Si); Atomic layer deposition (ALD); Annealing; High-k oxides

Το Al2O3 αποτελεί ένα από τα κύρια υποψήφια high-k οξείδια, σε μια μελλοντική τεχνολογία CMOS που θα βασίζεται στο Γερμάνιο. Προς την κατεύθυνση της βελτιστοποίησης της διεπιφάνειας Al2O3/Ge, έχουν προταθεί ποικίλες μέθοδοι, στις οποίες εμπλέκονται διαφορετικά στάδια της κατασκευής δομών MOS. Σε προ...