Σχεδιασμός και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός αβαθών ετεροδομών In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48­As/InP κατάλληλων για την κατασκευή τρανζίστορ πολύ υψηλών συχνοτήτων

• Κύριος συγγραφέας: Πουλής - Τσιχριτζής, Ευστάθιος
• Άλλοι συγγραφείς: Poulis - Tsichritzis, Eustathios
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2023
• Θέματα: Τρανζίστορς υψήλων συχνοτήτων; Ημιαγωγοί; III-V; HEMTs; Semiconductors

Στην συγκεκριμένη διπλώματική εργασία μελετάται ο σχεδιασμός και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός αβαθών ετεροδομών In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48¬As/InP που προηγείται της κατασκευής των πυλών, κατάλληλων για την κατασκευή τρανζίστορς πολύ υψήλων συχνοτήτων. Ο χαρακτηρισμός και σχεδιασμός των συσκευών αυτών π...