| Περίληψη: | Στην συγκεκριμένη διπλώματική εργασία μελετάται ο σχεδιασμός και ηλεκτρικός χαρακτηρισμός αβαθών ετεροδομών In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48¬As/InP που προηγείται της κατασκευής των πυλών, κατάλληλων για την κατασκευή τρανζίστορς πολύ υψήλων συχνοτήτων. Ο χαρακτηρισμός και σχεδιασμός των συσκευών αυτών πραγματοποιήθηκε χρησιμοποιώντας χημική εγχάραξη και λογισμικό το οποίο εκτελεί αυτοσυναφείς υπολογισμούς των εξισώσεων Schrodinger- Poisson. Μελετήθηκαν οι μηχανισμοί των χημικών εγχαράξεων, διαφορετικές μέθοδοι και διαλύματα για την εγχάραξη της συγκεκριμένης δομής. Πραγματοποιήθηκε βιβλιογραφική έρευνα για τον σχεδιασμό ωμικών επαφών με νικέλιο, χρυσό και γερμάνιο υλικά που χρησιμοποιούνται και στις πειραματικές διατάξεις αυτής της εργασίας. Οι χημικές εγχαράξεις μετρήθηκαν στο τμήμα Χημικών Μηχανικών του Πανεπιστημίου Πατρών το οποίo διαθέτει μικροσκόπιο ατομικής δύναμης (AFM) Dimension Icon της εταιρίας Brucker. Έγινε προσομοίωση λειτουργείας συσκευών με διαφορετικά πόσα προσμίξεων και με διαφορετικά πάχυ υμενίων μέσω των αυτοσυναφών υπολογισμών και τα αποτελέσματα αυτά συγκρίθηκαν με αποτελέσματα μετρήσεων Shubnikov-de Haas. Σε μερικές διατάξεις παρατηρήθηκε παρασιτικό επίπεδο αγωγιμότητας παράλληλο στο κανάλι, επιτεύχθηκε η εξάλειψη του καθαρά μέσω υγρής χημικής εγχάραξης στο επίπεδο Schottky της διάταξης, όπου και λάμβανε χώρα το φαινόμενο αυτό. Δεύτερον αλλά εξίσου σημαντικό είναι ότι στις διατάξεις με διαφορετική ποσότητα προσμίξεων παρατηρήθηκε μια συσχέτιση της μείωσης του πληθυσμού ηλεκτρονίων στις διαφορετικές ενεργειακές στάθμες στο κανάλι.
|
|---|
