Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND

Οι μνήμες τεχνολογίας NAND Flash χρησιμοποιούνται ευρέως για αποθήκευση δεδομένων λόγω της χαρακτηριστικής πυκνότητας, της χαμηλής απαιτούμενης ισχύος, του χαμηλού κόστους, της υψηλής διεκπεραιωτικής ικανότητας και της αξιοπιστίας τους. Η ανάπτυξη της πολυεπίπεδης τεχνολογίας (MLC) έχει καταστήσει δ...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα
Άλλοι συγγραφείς: Αντωνακόπουλος, Θεόδωρος
Μορφή: Thesis
Γλώσσα:Greek
Έκδοση: 2011
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:http://nemertes.lis.upatras.gr/jspui/handle/10889/4086