Ανάλυση και πειραματική αξιολόγηση του μηχανισμού εισαγωγής λαθών σε μνήμες τεχνολογίας MLC NAND
Οι μνήμες τεχνολογίας NAND Flash χρησιμοποιούνται ευρέως για αποθήκευση δεδομένων λόγω της χαρακτηριστικής πυκνότητας, της χαμηλής απαιτούμενης ισχύος, του χαμηλού κόστους, της υψηλής διεκπεραιωτικής ικανότητας και της αξιοπιστίας τους. Η ανάπτυξη της πολυεπίπεδης τεχνολογίας (MLC) έχει καταστήσει δ...
Main Author: | Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα |
---|---|
Other Authors: | Αντωνακόπουλος, Θεόδωρος |
Format: | Thesis |
Language: | Greek |
Published: |
2011
|
Subjects: | |
Online Access: | http://nemertes.lis.upatras.gr/jspui/handle/10889/4086 |
Similar Items
-
Κωδικοποίηση και διόρθωση λαθών σε μνήμες NAND πολλαπλών επιπέδων
by: Ευταξιάδης, Ευστράτιος, et al.
Published: (2014) -
Μοντελοποίηση και πειραματική εξομοίωση του μηχανισμού γήρανσης μνημών τεχνολογίας NAND
by: Σκλίας, Γεώργιος
Published: (2015) -
Ανάπτυξη αλγορίθμου χαρτογράφησης στη μονάδα μετάφρασης διευθύνσεων SSDs βασισμένων σε τεχνολογία NAND flash
by: Τζιμή, Καλλιόπη
Published: (2021) -
Αρχιτεκτονική αποκωδικοποιητών μεταβλητού ρυθμού για LDPC κώδικες και εφαρμογή σε ημιαγωγικές μνήμες τύπου NAND flash
by: Κορκοτσίδης, Στέλιος
Published: (2016) -
Συμπίεση με πρόγνωση αποστάσεων επαναχρησιμοποίησης σε κρυφές μνήμες δευτέρου επιπέδου
by: Σταυρόπουλος, Νικόλαος
Published: (2011)