Διερεύνηση της λειτουργικής συμπεριφοράς του ημιαγωγικού στοιχείου ισχύος SiC JFET και εφαρμογή του σε μετατροπέα ανύψωσης τάσης

• Κύριος συγγραφέας: Χαραλάμπους, Απόλλωνας
• Άλλοι συγγραφείς: Τατάκης, Εμμανουήλ
• Μορφή: Thesis
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2012
• Θέματα: JFET από SiC; Καρβίδιο πυριτίου (SiC); Μετατροπείς boost; SiC JFET; Silicon carbide (SiC); Boost converters; 621.317

Στην παρούσα διπλωματική εργασία διερευνάται η κατασκευαστική δομή και η λειτουργική συμπεριφορά ημιαγωγικών στοιχείων από καρβίδιο πυριτίου (SiC). Συγκεκριμένα, σε μια πρώτη φάση πραγματοποιείται διεξοδική βιβλιογραφική μελέτη των άρθρων που σχετίζονται με το ημιαγωγικό στοιχείο ισχύος SiC JFET και...