Διατάξεις παγίδευσης φορτίου (Memories) με τη χρήση νέων υλικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς

• Κύριος συγγραφέας: Νικολάου, Νικόλαος
• Άλλοι συγγραφείς: Σκαρλάτος, Δημήτριος
• Μορφή: Thesis
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2015
• Θέματα: Διατάξεις παγίδευσης φορτίου; Ημιαγωγικές μνήμες; Μη-πτητικές μνήμες; Υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς; Εναπόθεση ατομικού στρώματος; Οξείδιο του χαφνίου; Οξείδιο του ζιρκονίου; Οξείδιο του αργιλίου; Οξειδωτικό μέσο; Πρόδρομο μόριο; Ανόπτηση; Εμφύτευση ιόντων αζώτου χαμηλής ενέργειας; Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός; Δομικός χαρακτηρισμός; Χημική ανάλυση; Charge trapping memories; Semiconductor memories; Non-volatile memories; High-k dielectrics; Atomic layer deposition (ALD); Hafnium oxide (HfO2); Zirconium oxide (ZrO2); Aluminum oxide (Al2O3); Oxidant; Precursor; Annealing; Low-energy nitrogen ions implantation; Electrical characterization; Structural characterization; Chemical analysis; 537.622

Στη παρούσα Διατριβή διερευνήθηκε η χρήση υλικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς (high-k) ως οξειδίων ελέγχου σε διατάξεις παγίδευσης φορτίου τύπου MONOS (Μetal-Οxide-Νitride-Οxide-Silicon). Τα οξείδια που εξετάστηκαν ήταν το HfO2, τo ZrO2 και το Al2O3. Η ανάπτυξή τους πραγματοποιήθηκε με χρήση της μεθ...