Ανάπτυξη και χαρακτηρισμός οξειδίων υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς σε διατάξεις MOS p-Ge

• Κύριος συγγραφέας: Μποτζακάκη, Μάρθα
• Άλλοι συγγραφείς: Κροντηράς, Χριστόφορος
• Μορφή: Thesis
• Γλώσσα: Greek
• Έκδοση: 2016
• Θέματα: Γερμάνιο; Οξείδια υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς; Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός; Στρώμα αδρανοποίησης; Ισοδύναμο ηλεκτρικό πάχος; Πυκνότητα διεπιφανειακών καταστάσεων; Οξείδωση με πλάσμα; Germanium; High-k dielectrics; ALD; Electrical characterization; XPS; Passivation layers; GeO2; Al2O3; MOS devices; HfO2; EOT; Dit; ZrO2; Plasma oxidation; 537.24

Στην παρούσα Διδακτορική Διατριβή μελετήθηκε η χρήση των υλικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς (Al2O3, HfO2 και ZrO2), ως διηλεκτρικών πύλης σε δομές MOS ημιαγώγιμου υποστρώματος Γερμανίου τύπου –p. Αναπτύχθηκαν, με τη τεχνική ALD, υμένια πάχους 5, 10 και 20nm σε τρείς διαφορετικές θερμοκρασίες εναπόθ...