Ανάπτυξη και χαρακτηρισμός οξειδίων υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς σε διατάξεις MOS p-Ge
Στην παρούσα Διδακτορική Διατριβή μελετήθηκε η χρήση των υλικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς (Al2O3, HfO2 και ZrO2), ως διηλεκτρικών πύλης σε δομές MOS ημιαγώγιμου υποστρώματος Γερμανίου τύπου –p. Αναπτύχθηκαν, με τη τεχνική ALD, υμένια πάχους 5, 10 και 20nm σε τρείς διαφορετικές θερμοκρασίες εναπόθ...
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | Thesis |
| Γλώσσα: | Greek |
| Έκδοση: |
2016
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | http://hdl.handle.net/10889/9195 |
