Σύνθεση και οπτική φασματοσκοπία δισδιάστατων κρυστάλλων MoS2
Η εργασία αυτή πραγματοποιήθηκε στο Ινστιτούτου Επιστημών Χημικής Μηχανικής του Ιδρύματος Τεχνολογίας και Έρευνας (Ι.Τ.Ε – Ι.Ε.Χ.Μ.Η.) στην πόλη των Πατρών. Βασικός στόχος της παρούσας εργασίας ήταν η ανάπτυξη δισδιάστατων κρυστάλλων δισουλφιδίου του μολυβδαινίου (MoS2) με μεθόδους μικρομηχανικής απ...
Κύριος συγγραφέας: | |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | |
Μορφή: | Thesis |
Γλώσσα: | Greek |
Έκδοση: |
2017
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | http://hdl.handle.net/10889/9973 |
id |
nemertes-10889-9973 |
---|---|
record_format |
dspace |
institution |
UPatras |
collection |
Nemertes |
language |
Greek |
topic |
Δισδιάστατοι κρύσταλλοι Διχαλκογενίδια των μεταβατικών μετάλλων Φασματοσκοπία Raman Φασματοσκοπία φωτοφωταύγειας Μηχανική παραμόρφωση Ηλεκτρονική νόθευση Χημική εναπόθεση ατμών 2D crystals Transition metal dichalcogenides Raman spectroscopy Photoluminescence spectroscopy Strain Electron doping Chemical vapor deposition 547.055 34 |
spellingShingle |
Δισδιάστατοι κρύσταλλοι Διχαλκογενίδια των μεταβατικών μετάλλων Φασματοσκοπία Raman Φασματοσκοπία φωτοφωταύγειας Μηχανική παραμόρφωση Ηλεκτρονική νόθευση Χημική εναπόθεση ατμών 2D crystals Transition metal dichalcogenides Raman spectroscopy Photoluminescence spectroscopy Strain Electron doping Chemical vapor deposition 547.055 34 Μιχαήλ, Αντώνιος Σύνθεση και οπτική φασματοσκοπία δισδιάστατων κρυστάλλων MoS2 |
description |
Η εργασία αυτή πραγματοποιήθηκε στο Ινστιτούτου Επιστημών Χημικής Μηχανικής του Ιδρύματος Τεχνολογίας και Έρευνας (Ι.Τ.Ε – Ι.Ε.Χ.Μ.Η.) στην πόλη των Πατρών. Βασικός στόχος της παρούσας εργασίας ήταν η ανάπτυξη δισδιάστατων κρυστάλλων δισουλφιδίου του μολυβδαινίου (MoS2) με μεθόδους μικρομηχανικής αποφλοίωσης και χημικής εναπόθεσης ατμών (Chemical Vapor Deposition, CVD), και η μελέτη αυτών μέσω φασματοσκοπίας Raman και φωτοφωταύγειας (Photoluminescence, PL)
Η ανακάλυψη του γραφενίου το 2004 από τους Α. Geim και Κ. S. Novoselov οδήγησε στην γέννηση μίας νέας κατηγορίας υλικών, αυτή των δισδιάστατων κρυστάλλων. Σύντομα βρέθηκε ότι η πλειοψηφία των υλικών με φυλλώδη Van der Waals δομή μπορούν να απομονωθούν σε δισδιάστατη μορφή. Τα διχαλκογενίδια των μεταβατικών μετάλλων (Transition Metal Dichalcogenides, TMDs) είναι μία κατηγορία περίπου υλικών που έχουν μελετηθεί εντατικά τα τελευταία 60 χρόνια. Ένα μεγάλο μέρος τους έχει φυλλώδη Van der Waals δομή και κατά συνέπεια οι δισδιάστατες εκδοχές τους έχουν προσελκύσει με γοργούς ρυθμούς μεγάλο ερευνητικό ενδιαφέρον.
Το δισουλφίδιο του μολυβδαινίου είναι ίσως το πιο καλά μελετημένο μέλος των TMDs. Το συμπαγές MoS2 είναι ένας ημιαγωγός εμμέσου ενεργειακού χάσματος μεγέθους 1.3 eV. Στην δισδιάστατη εκδοχή του το ενεργειακό χάσμα γίνεται άμεσο και αυξάνει στα 1.9 eV. Ο άμεσος χαρακτήρας του χάσματος, σε συνδυασμό με την υψηλή ευκινησία φορέων (έως 200 cm2V-1s-1), τις εξαιρετικές μηχανικές του ιδιότητες που συγκρίνονται με αυτές του ατσαλιού, η υψηλή αντοχή σε παραμορφώσεις έως και 11% δείχνουν ότι το δισδιάστατο MoS2 θα διαδραματίσει ένα πολύ σπουδαίο ρόλο στις ηλεκτρονικές και οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές του μέλλοντος.
Για την αξιοποίηση των εξαιρετικών ιδιοτήτων του δισδιάστατου MoS2 θα πρέπει να αναπτυχθούν μέθοδοι για την σύνθεσης υψηλής ποιότητας υλικού με δυνατότητα μαζικής παραγωγής. Η μικρομηχανική αποφλοίωση, γνωστή και ως μέθοδος της κολλητικής ταινίας, αν και οδηγεί στην παραγωγή εξαιρετικής ποιότητας μονοκρυστάλλων, χαρακτηρίζεται από αδυναμία ελέγχου και πολύ χαμηλή απολαβή. Για τον λόγο αυτό, όπως φάνηκε και στην περίπτωση του γραφενίου, εναλλακτική επιλογή αποτελούν οι τεχνικές χημικής εναπόθεσης ατμών (chemical vapor deposition, CVD) οι οποίες έχουν ήδη επιτρέψει την μεγάλης κλίμακας κατασκευή διατάξεων γραφενίου. Ήδη τα τελευταία τέσσερα χρόνια περίπου έχουν σημειωθεί σημαντικά βήματα στην ανάπτυξη CVD μεθόδων για την σύνθεση δισδιάστατου MoS2.
Πέρα όμως από την ικανότητα παραγωγής του υλικού, θα πρέπει να υπάρχουν κατάλληλες τεχνικές χαρακτηρισμού για την μελέτη των φυσικών και όχι μόνο ιδιοτήτων τους. Η φασματοσκοπία Raman έχει αποδειχθεί στην πράξη ότι είναι από τις πλέον κατάλληλες μη καταστρεπτικές τεχνικές για την μελέτη των δισδιάστατων υλικών. Στο γραφένιο για παράδειγμα έχει αποδειχθεί ότι μπορεί να προσδιορίσει το πάχος του υλικού, ενώ να εξαχθούν πληροφορίες σχετικά με την κατάσταση νόθευσης ή την ύπαρξη μηχανικών παραμορφώσεων του κρυστάλλου.
Στο πρώτο μέρος της εργασίας αυτής απομονώνονται δισδιάστατοι κρύσταλλοι MoS2 με την μέθοδο της μικρομηχανικής αποφλοίωσης και μελετώνται μέσω φασματοσκοπίας micro-Raman και φωτοφωταύγειας (Photoluminescence, PL). Παρατηρούνται διακυμάνσεις των φασματικών παραμέτρων που οφείλονται στην ύπαρξη ανομοιογενούς μηχανικής καταπόνησης και ηλεκτρονικής νόθευσης του κρυστάλλου. Επιδεικνύεται, μέσω της σύγκρισης των χωρικών απεικονίσεων Raman και PL με εικόνες τοπογραφίας από μικροσκόπιο ατομικής δύναμης (Atomic Force Microscope – AFM) η πολύ μεγάλη ευαισθησία της φασματοσκοπίας Raman στο να συλλάβει πληροφορία από περιοχές μικρότερες του εύρους της δέσμης. Επίσης, αναπτύσσεται μία μέθοδος ανάλυσης που επιτρέπει την ανίχνευση και ποσοτικοποίηση των ανομοιογενειών μηχανικής παραμόρφωσης και ηλεκτρονικής νόθευσης σε έναν δισδιάστατο κρύσταλλο MoS2 μέσω μία αναλυτικής χαρτογράφησης Raman.
Στο δεύτερο μέρος, δισδιάστατοι κρύσταλλοι MoS2 συντίθενται με δύο διαφορετικές τεχνικές CVD. Η πρώτη τεχνική αφορά την θείωση ΜοΟ3 σε ατμοσφαιρική πίεση και αδρανή ατμόσφαιρα. Αν και η ανάπτυξη κρυστάλλων είναι επιτυχής, η μέθοδος αυτή προκαλεί ανομοιόμορφη ανάπτυξη των κρυστάλλων MoS2 στο υπόστρωμα. Για την αντιμετώπιση αυτών των δυσκολιών χρησιμοποιήθηκε μία άλλη πρόδρομη ένωση, το Na2MoO4. Με την δεύτερη μέθοδο CVD επιτυγχάνεται πολύ καλύτερος έλεγχος της σύνθεσης αφού με πολύ απλό τρόπο μπορεί να ελέγχεται το ποσοστό κάλυψης της επιφάνειας του υποστρώματος από κρυστάλλους MoS2. Σε αντίθεση με την πρώτη μέθοδο, η ανάπτυξη των κρυστάλλων είναι ομοιόμορφη σε ολόκληρη την επιφάνεια του υποστρώματος.
Οι παραχθέντες κρύσταλλοι μελετώνται μέσω φασματοσκοπίας Raman και φωτοφωταύγειας. Εφαρμόζοντας την οπτική ανάλυση που αναπτύχθηκε στο πρώτο μέρος της εργασίας δείχνουμε ότι ανάλυση αυτή μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να συγκριθούν κρύσταλλοι που συντέθηκαν με διαφορετικούς τρόπους. Εντοπίζουμε ότι οι κρύσταλλοι που συντίθενται με μεθόδους CVD σε υποστρώματα Si/SiO¬2 βρίσκονται υπό εφελκυστική παραμόρφωση που πηγάζει από την διαφορά μεταξύ των συντελεστών θερμικής διαστολής MoS2 / SiO2. Αυτό το γεγονός αναδεικνύει ότι η οπτική ανάλυση που προτείνουμε στο πρώτο μέρος της εργασίας μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως ένα εργαλείο για την αξιολόγηση και βελτίωση μεθόδων σύνθεσης MoS2.
Η δυνατότητα της απεικόνισης των επιπέδων μηχανικής παραμόρφωσης και συγκέντρωσης ηλεκτρονίων επιτρέπουν τον εις βάθος χαρακτηρισμό του υλικού καθώς και την μελέτη των φυσικών μηχανισμών που το MoS2 αλληλεπιδρά με το υπόστρωμα. |
author2 |
Τερζής, Ανδρέας |
author_facet |
Τερζής, Ανδρέας Μιχαήλ, Αντώνιος |
format |
Thesis |
author |
Μιχαήλ, Αντώνιος |
author_sort |
Μιχαήλ, Αντώνιος |
title |
Σύνθεση και οπτική φασματοσκοπία δισδιάστατων κρυστάλλων MoS2 |
title_short |
Σύνθεση και οπτική φασματοσκοπία δισδιάστατων κρυστάλλων MoS2 |
title_full |
Σύνθεση και οπτική φασματοσκοπία δισδιάστατων κρυστάλλων MoS2 |
title_fullStr |
Σύνθεση και οπτική φασματοσκοπία δισδιάστατων κρυστάλλων MoS2 |
title_full_unstemmed |
Σύνθεση και οπτική φασματοσκοπία δισδιάστατων κρυστάλλων MoS2 |
title_sort |
σύνθεση και οπτική φασματοσκοπία δισδιάστατων κρυστάλλων mos2 |
publishDate |
2017 |
url |
http://hdl.handle.net/10889/9973 |
work_keys_str_mv |
AT michaēlantōnios synthesēkaioptikēphasmatoskopiadisdiastatōnkrystallōnmos2 AT michaēlantōnios synthesisandopticalspectroscopyoftwodimensionalmos2crystals |
_version_ |
1771297200376119296 |
spelling |
nemertes-10889-99732022-09-05T11:17:46Z Σύνθεση και οπτική φασματοσκοπία δισδιάστατων κρυστάλλων MoS2 Synthesis and optical spectroscopy of two dimensional MoS2 crystals Μιχαήλ, Αντώνιος Τερζής, Ανδρέας Παπαγγελής, Κωνσταντίνος Παλίλης, Λεωνίδας Τερζής, Ανδρέας Michail, Antonios Δισδιάστατοι κρύσταλλοι Διχαλκογενίδια των μεταβατικών μετάλλων Φασματοσκοπία Raman Φασματοσκοπία φωτοφωταύγειας Μηχανική παραμόρφωση Ηλεκτρονική νόθευση Χημική εναπόθεση ατμών 2D crystals Transition metal dichalcogenides Raman spectroscopy Photoluminescence spectroscopy Strain Electron doping Chemical vapor deposition 547.055 34 Η εργασία αυτή πραγματοποιήθηκε στο Ινστιτούτου Επιστημών Χημικής Μηχανικής του Ιδρύματος Τεχνολογίας και Έρευνας (Ι.Τ.Ε – Ι.Ε.Χ.Μ.Η.) στην πόλη των Πατρών. Βασικός στόχος της παρούσας εργασίας ήταν η ανάπτυξη δισδιάστατων κρυστάλλων δισουλφιδίου του μολυβδαινίου (MoS2) με μεθόδους μικρομηχανικής αποφλοίωσης και χημικής εναπόθεσης ατμών (Chemical Vapor Deposition, CVD), και η μελέτη αυτών μέσω φασματοσκοπίας Raman και φωτοφωταύγειας (Photoluminescence, PL) Η ανακάλυψη του γραφενίου το 2004 από τους Α. Geim και Κ. S. Novoselov οδήγησε στην γέννηση μίας νέας κατηγορίας υλικών, αυτή των δισδιάστατων κρυστάλλων. Σύντομα βρέθηκε ότι η πλειοψηφία των υλικών με φυλλώδη Van der Waals δομή μπορούν να απομονωθούν σε δισδιάστατη μορφή. Τα διχαλκογενίδια των μεταβατικών μετάλλων (Transition Metal Dichalcogenides, TMDs) είναι μία κατηγορία περίπου υλικών που έχουν μελετηθεί εντατικά τα τελευταία 60 χρόνια. Ένα μεγάλο μέρος τους έχει φυλλώδη Van der Waals δομή και κατά συνέπεια οι δισδιάστατες εκδοχές τους έχουν προσελκύσει με γοργούς ρυθμούς μεγάλο ερευνητικό ενδιαφέρον. Το δισουλφίδιο του μολυβδαινίου είναι ίσως το πιο καλά μελετημένο μέλος των TMDs. Το συμπαγές MoS2 είναι ένας ημιαγωγός εμμέσου ενεργειακού χάσματος μεγέθους 1.3 eV. Στην δισδιάστατη εκδοχή του το ενεργειακό χάσμα γίνεται άμεσο και αυξάνει στα 1.9 eV. Ο άμεσος χαρακτήρας του χάσματος, σε συνδυασμό με την υψηλή ευκινησία φορέων (έως 200 cm2V-1s-1), τις εξαιρετικές μηχανικές του ιδιότητες που συγκρίνονται με αυτές του ατσαλιού, η υψηλή αντοχή σε παραμορφώσεις έως και 11% δείχνουν ότι το δισδιάστατο MoS2 θα διαδραματίσει ένα πολύ σπουδαίο ρόλο στις ηλεκτρονικές και οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές του μέλλοντος. Για την αξιοποίηση των εξαιρετικών ιδιοτήτων του δισδιάστατου MoS2 θα πρέπει να αναπτυχθούν μέθοδοι για την σύνθεσης υψηλής ποιότητας υλικού με δυνατότητα μαζικής παραγωγής. Η μικρομηχανική αποφλοίωση, γνωστή και ως μέθοδος της κολλητικής ταινίας, αν και οδηγεί στην παραγωγή εξαιρετικής ποιότητας μονοκρυστάλλων, χαρακτηρίζεται από αδυναμία ελέγχου και πολύ χαμηλή απολαβή. Για τον λόγο αυτό, όπως φάνηκε και στην περίπτωση του γραφενίου, εναλλακτική επιλογή αποτελούν οι τεχνικές χημικής εναπόθεσης ατμών (chemical vapor deposition, CVD) οι οποίες έχουν ήδη επιτρέψει την μεγάλης κλίμακας κατασκευή διατάξεων γραφενίου. Ήδη τα τελευταία τέσσερα χρόνια περίπου έχουν σημειωθεί σημαντικά βήματα στην ανάπτυξη CVD μεθόδων για την σύνθεση δισδιάστατου MoS2. Πέρα όμως από την ικανότητα παραγωγής του υλικού, θα πρέπει να υπάρχουν κατάλληλες τεχνικές χαρακτηρισμού για την μελέτη των φυσικών και όχι μόνο ιδιοτήτων τους. Η φασματοσκοπία Raman έχει αποδειχθεί στην πράξη ότι είναι από τις πλέον κατάλληλες μη καταστρεπτικές τεχνικές για την μελέτη των δισδιάστατων υλικών. Στο γραφένιο για παράδειγμα έχει αποδειχθεί ότι μπορεί να προσδιορίσει το πάχος του υλικού, ενώ να εξαχθούν πληροφορίες σχετικά με την κατάσταση νόθευσης ή την ύπαρξη μηχανικών παραμορφώσεων του κρυστάλλου. Στο πρώτο μέρος της εργασίας αυτής απομονώνονται δισδιάστατοι κρύσταλλοι MoS2 με την μέθοδο της μικρομηχανικής αποφλοίωσης και μελετώνται μέσω φασματοσκοπίας micro-Raman και φωτοφωταύγειας (Photoluminescence, PL). Παρατηρούνται διακυμάνσεις των φασματικών παραμέτρων που οφείλονται στην ύπαρξη ανομοιογενούς μηχανικής καταπόνησης και ηλεκτρονικής νόθευσης του κρυστάλλου. Επιδεικνύεται, μέσω της σύγκρισης των χωρικών απεικονίσεων Raman και PL με εικόνες τοπογραφίας από μικροσκόπιο ατομικής δύναμης (Atomic Force Microscope – AFM) η πολύ μεγάλη ευαισθησία της φασματοσκοπίας Raman στο να συλλάβει πληροφορία από περιοχές μικρότερες του εύρους της δέσμης. Επίσης, αναπτύσσεται μία μέθοδος ανάλυσης που επιτρέπει την ανίχνευση και ποσοτικοποίηση των ανομοιογενειών μηχανικής παραμόρφωσης και ηλεκτρονικής νόθευσης σε έναν δισδιάστατο κρύσταλλο MoS2 μέσω μία αναλυτικής χαρτογράφησης Raman. Στο δεύτερο μέρος, δισδιάστατοι κρύσταλλοι MoS2 συντίθενται με δύο διαφορετικές τεχνικές CVD. Η πρώτη τεχνική αφορά την θείωση ΜοΟ3 σε ατμοσφαιρική πίεση και αδρανή ατμόσφαιρα. Αν και η ανάπτυξη κρυστάλλων είναι επιτυχής, η μέθοδος αυτή προκαλεί ανομοιόμορφη ανάπτυξη των κρυστάλλων MoS2 στο υπόστρωμα. Για την αντιμετώπιση αυτών των δυσκολιών χρησιμοποιήθηκε μία άλλη πρόδρομη ένωση, το Na2MoO4. Με την δεύτερη μέθοδο CVD επιτυγχάνεται πολύ καλύτερος έλεγχος της σύνθεσης αφού με πολύ απλό τρόπο μπορεί να ελέγχεται το ποσοστό κάλυψης της επιφάνειας του υποστρώματος από κρυστάλλους MoS2. Σε αντίθεση με την πρώτη μέθοδο, η ανάπτυξη των κρυστάλλων είναι ομοιόμορφη σε ολόκληρη την επιφάνεια του υποστρώματος. Οι παραχθέντες κρύσταλλοι μελετώνται μέσω φασματοσκοπίας Raman και φωτοφωταύγειας. Εφαρμόζοντας την οπτική ανάλυση που αναπτύχθηκε στο πρώτο μέρος της εργασίας δείχνουμε ότι ανάλυση αυτή μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να συγκριθούν κρύσταλλοι που συντέθηκαν με διαφορετικούς τρόπους. Εντοπίζουμε ότι οι κρύσταλλοι που συντίθενται με μεθόδους CVD σε υποστρώματα Si/SiO¬2 βρίσκονται υπό εφελκυστική παραμόρφωση που πηγάζει από την διαφορά μεταξύ των συντελεστών θερμικής διαστολής MoS2 / SiO2. Αυτό το γεγονός αναδεικνύει ότι η οπτική ανάλυση που προτείνουμε στο πρώτο μέρος της εργασίας μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως ένα εργαλείο για την αξιολόγηση και βελτίωση μεθόδων σύνθεσης MoS2. Η δυνατότητα της απεικόνισης των επιπέδων μηχανικής παραμόρφωσης και συγκέντρωσης ηλεκτρονίων επιτρέπουν τον εις βάθος χαρακτηρισμό του υλικού καθώς και την μελέτη των φυσικών μηχανισμών που το MoS2 αλληλεπιδρά με το υπόστρωμα. The work presented in this thesis was realized at the Institute of Chemical Engineering Sciences (F.O.R.T.H – I.C.E. – HT) located at the city of Patras. The main objective was the isolation of two-dimensional (2D) molybdenum disulfide (MoS2) crystals by the micromechanical cleavage technique as well as through an atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) method, and the spectroscopic study of the fabricated crystals by means of micro-Raman and micro-Photoluminescence (PL) spectroscopies. The discovery of graphene in 2004 by A. Geim and K. S. Novoselov gave birth to a whole new class of materials known as two dimensional crystals. Soon after, it was realized that the vast majority of materials that adopt a layered Van der Waals structure can in principle be isolated in two dimensional form. The transition metal dichalcogenides (TMDs), which have been thoroughly studied for at least 50 years, are a group of about 60 materials two thirds of which crystalize in a layered structure. Molybdenum disulfide (MoS2) is probably the most well studied member of the layered TMDs. In its bulk form MoS2 is an indirect gap (1.3 eV) semiconductor that exhibits a indirect-to-direct (1.9 eV) bandgap transition by reducing its thickness to the monolayer limit. The direct character of the bandgap of monolayer MoS2 in combination with the high carrier mobility (up to 200 cm2V-1s-1), its exceptional mechanical properties which are compared to those of steel, and its capability to withstand mechanical strains as great as 11% indicate that 2D-MoS will play an important role in future electronic and optoelectronic applications. In order to exploit the full potential of 2D-MoS2, the development of facile scalable and efficient growth methods is necessary. The micromechanical cleavage technique, also known as the “scotch tape method”, despite being simple and able to produce very high quality 2D-MoS2 single crystals, it is (so far) inherently uncontrollable and has very low yield. CVD methods on the other hand have, at least in the case of graphene, allowed the large scale production of graphene devices and the last four years significant steps in the development of CVD methods for the production of 2D-MoS2 have been made. Apart from the capability to fabricate high quality material, tools and techniques to properly study and characterize the material are needed. Raman spectroscopy has proven to be a very powerful and non-destructing tool in the study of 2D-crystals. In the case of graphene, by employing Raman spectroscopy alone it is possible to identify the number of layers, their stacking, as well as to study the local strain and doping levels present in the crystal. In the first part of this work 2D – MoS2 crystals are isolated by the micromechanical cleavage technique and are studied by means of mirco-Raman and micro-PL spectroscopies. Spatial variation of the spectral parameters along the sample surface is observed and attributed to unintentional strain and doping induced to the crystal due to the fabrication process as well as the interaction with the supporting substrate. By comparing Raman maps with topographic images obtained with an atomic force microscope (AFM), the great sensitivity of the micro-Raman spectroscopy to capture subwavelength features is demonstrated. Additionally, an optical analysis method is developed that enables the detection and quantification of strain and doping levels present in the 2D-MoS2 crystal through a detailed Raman mapping. 2017-02-10T07:39:44Z 2017-02-10T07:39:44Z 2016-08-25 Thesis http://hdl.handle.net/10889/9973 gr 0 application/pdf |